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圖說(shuō)三極管的三個(gè)工作狀態(tài)

發(fā)布時(shí)間:2016-3-4 11:09    發(fā)布者:designapp
關(guān)鍵詞: 三極管 , NMOS
大家都知道三極管電流控制型元件,三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系,怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開三極管內(nèi)部空穴和電子的運(yùn)動(dòng),還是那句話只談應(yīng)用不談原理,希望通過下面的“圖解”讓初學(xué)者對(duì)三極管有一個(gè)形象的認(rèn)識(shí)。
三極管是一個(gè)以b(基極)電流Ib 來(lái)驅(qū)動(dòng)流過CE 的電流Ic 的器件,它的工作原理很像一個(gè)可控制的閥門。
  


圖1

左邊細(xì)管子里藍(lán)色的小水流沖動(dòng)杠桿使大水管的閥門開大,就可允許較大紅色的水流通過這個(gè)閥門。當(dāng)藍(lán)色水流越大,也就使大管中紅色的水流更大。如果放大倍數(shù)是100,那么當(dāng)藍(lán)色小水流為1 千克/小時(shí),那么就允許大管子流過100千克/小時(shí)的水。三極管的原理也跟這個(gè)一樣,放大倍數(shù)為100 時(shí),當(dāng)Ib(基極電流)為1mA 時(shí),就允許100mA 的電流通過Ice。

有了這個(gè)形象的解釋之后,我們?cè)賮?lái)看一個(gè)單片機(jī)里常用的電路
  


圖2

我們來(lái)分析一下這個(gè)電路,如果它的放大倍數(shù)是100,基極電壓我們不計(jì);鶚O電流就是10V&pide;10K=1mA,集電極電流就應(yīng)該是100mA。根據(jù)歐姆定律,這樣Rc上的電壓就是0.1A×50Ω=5V。那么剩下的5V 就吃在了三極管的C、E 極上了。好!現(xiàn)在我們假如讓Rb 為1K,那么基極電流就是10V&pide;1K=10mA,這樣按照放大倍數(shù)100 算,Ic 就是不是就為1000mA 也就是1A 了呢?假如真的為1安,那么Rc 上的電壓為1A×50Ω=50V。啊?50V!都超過電源電壓了,三極管都成發(fā)電機(jī)了嗎?其實(shí)不是這樣的。見下圖:
  


圖3

我們還是用水管內(nèi)流水來(lái)比喻電流,當(dāng)這個(gè)控制電流為10mA 時(shí)使主水管上的閥開大到能流過1A 的電流,但是不是就能有1A 的電流流過呢?不是的,因?yàn)樯厦孢有個(gè)電阻,它就相當(dāng)于是個(gè)固定開度的閥門,它串在這個(gè)主水管的上面,當(dāng)下面那個(gè)可控制的閥開度到大于上面那個(gè)固定電阻的開度時(shí),水流就不會(huì)再增大而是等于通過上面那個(gè)固定閥開度的水流了,因此,下面的三極管再開大開度也沒有用了。因此我們可以計(jì)算出那個(gè)固定電阻的最大電流10V&pide;50Ω=0.2A也就是200mA。就是說(shuō)在電路中三極管基極電流增大集電極的電流也增大,當(dāng)基極電流Ib 增大到2mA 時(shí),集電極電流就增大到了200mA。當(dāng)基極電流再增大時(shí),集電極電流已不會(huì)再增大,就在200mA 不動(dòng)了。此時(shí)上面那個(gè)電阻也就是起限流作用了。

上面講的三極管是工作在放大狀態(tài),要想作為開關(guān)器件來(lái)應(yīng)用呢?毫無(wú)疑問三極管必須進(jìn)入飽和導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。圖4所示的電路中,我們從Q 的基極注入電流IB,那么將會(huì)有電流流入集電極,大小關(guān)系為:IC=βIB 。而至于BJT 發(fā)射結(jié)電壓VBE,我們說(shuō)這個(gè)并不重要,因?yàn)橹灰狪B 存在且為正值時(shí),這個(gè)結(jié)電壓便一定存在并且基本恒定(約0.5~1.2V,一般的管子取0.7V 左右),也就是我們所講的發(fā)射結(jié)正偏。既然UBE 是固定的,那么,如果BJT 基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)為電壓信號(hào)時(shí),就必須在基極串聯(lián)一個(gè)限流電阻,如圖5。此時(shí),基極電流為IB=(Ui-UBE)/RB。一般情況省略RB 是不允許的,因?yàn)檫@樣的話IB 將會(huì)變得很大,造成前級(jí)電路或者是BJT 的損壞。
  


圖4、圖5

接下來(lái)進(jìn)入我們最關(guān)心的問題:RB 如何選取。前面說(shuō)到過IC=βIB,為了使晶體管進(jìn)入飽和,我們必須增加IB,從而使IC 增大,RC 上的壓降隨之增大,直到RC 上幾乎承受了所有的電源電壓。此時(shí),UCE 變得很小,約0.2~0.3V(對(duì)于大功率BJT,這個(gè)值可能達(dá)到2~3V),也就是我們所說(shuō)的飽和壓降UCE(sat)。如果達(dá)到飽和時(shí),我們忽略UCE(sat),那么就有ICRL=βIBRL=Vcc。也就是只要保證IB≥IC/β或IB≥Vcc/(βRL)時(shí),晶體管就能進(jìn)入飽和狀態(tài)。我們看這樣一組數(shù)據(jù):Vcc=5V,β=200,RL=100Ω。那么要求IB≥5/(200×100)A=0.25mA。如果Ui=5V,那么取RB≤(Ui-UBE)/IB≈(5-0.7)/0.25kΩ=17.2kΩ就能滿足要求了。但是,實(shí)際上,對(duì)于這種情況,如果取一個(gè)10kΩ以上的電阻都可能導(dǎo)致BJT 無(wú)法進(jìn)入飽和狀態(tài)。這是為什么呢?

因?yàn)槲覀兊钠骷皇抢硐氲,我們(cè)趤?lái)看下面一個(gè)圖。
  


這是我們常用的一款小信號(hào)BJT,型號(hào)為MMBT3904 的直流電壓增益曲線。從圖中可以看出,BJT 的共射極直流電壓增益hFE(也就是通常意義下的β)不僅是溫度的函數(shù),而且與集電極電流有關(guān)。在一定的集電極電流范圍內(nèi),hFE 基本為常數(shù);當(dāng)集電極電流大于一定值時(shí),hFE 將急劇下降。產(chǎn)生這一現(xiàn)象的機(jī)理我們?cè)谶@里就不討論了。我們?cè)谑褂肂JT 作為開關(guān)時(shí),大多數(shù)情況下用于驅(qū)動(dòng)外部負(fù)載,如LED、繼電器等,這些負(fù)載的電流一般較大,此時(shí)hFE 已經(jīng)下降到遠(yuǎn)小于我們計(jì)算時(shí)使用的那個(gè)值。如前面的例子,如果這個(gè)BJT 為MMBT3904,集電極電流達(dá)到近50mA,此時(shí)的β(或hFE)已經(jīng)下降到只要100 左右了,計(jì)算基極電阻時(shí)使用的β也應(yīng)該取100 而不是200。

而實(shí)際應(yīng)用中,IB 并不是越大越好,因?yàn)镮B 對(duì)外電路來(lái)說(shuō)是沒有實(shí)質(zhì)作用的,它僅僅是維持BJT 可靠導(dǎo)通的必要條件。IB 越大,驅(qū)動(dòng)部分的損耗也就越大,從而降低了電路的效率。而且IB越大還會(huì)影響三極管的開關(guān)速率,這個(gè)我們后面再深究。

電子元件基礎(chǔ)之三極管靜態(tài)工作點(diǎn)

我們都知道,三極管的工作狀態(tài)有三個(gè),截止區(qū),放大區(qū),飽和區(qū)。那么三極管工作在什么工作狀態(tài)是由什么決定的呢?是由基極電流(Ib)來(lái)決定的,和其他因素完全沒有關(guān)系。

如果Ib = 0,則三極管工作在截止區(qū)。

如果0



圖1

請(qǐng)問:哪個(gè)腳是S(源極)、哪個(gè)腳是G(柵極)哪個(gè)腳是D(漏極)?D和S,是N溝道還是P溝道MOS?1腳和3腳之間存在一個(gè)二極管,這個(gè)二極管有什么作用?如果接入電路,一般哪個(gè)接輸入哪個(gè)接輸出?

MOS三個(gè)極怎么判斷
  


圖2

它們是N溝道還是P溝道
  


圖3

寄生二極管

在圖1我們看到D極和S極之間存在著一個(gè)二極管,這個(gè)二極管叫寄生二極管。MOS的寄生二極管怎么來(lái)的呢?翻開大學(xué)里的模擬電路書里面并沒有寄生二極管的介紹。在網(wǎng)上查了一番資料才知道,它是由生產(chǎn)工藝造成的,大功率MOS管漏極從硅片底部引出,就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu),漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向,沒有這個(gè)二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu),所以沒有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管,如果是單個(gè)晶體管,襯底當(dāng)然接S極,因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面,N—MOS襯底接最低的電壓,P—MOS襯底接最高電壓,不一定和S極相連,所以DS之間不一定有寄生二極管。那么寄生二極管起什么作用呢?當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí),可以通過這個(gè)二極管導(dǎo)出來(lái),不至于擊穿這個(gè)MOS管。(起到保護(hù)MOS管的作用)

寄生二極管方向判定
  


圖4

MOS管的應(yīng)用

開關(guān)作用

我們筆記本主板上用得最多的電子器件便是MOS管,可見MOS管在低功耗方面應(yīng)用得非常廣泛,MOS管都有哪些應(yīng)用呢?先來(lái)看下面的原理圖
  


圖5

相信你從圖5可以看出MOS管在電路中的作用了吧,以上的MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的是信號(hào)切換(高低電平的切換),那么MOS在電路中要實(shí)現(xiàn)開關(guān)作用應(yīng)該滿足什么條件呢?還有前面提過MOS管接入電路哪個(gè)極接輸入哪個(gè)極接輸出(提示:寄生二極管是關(guān)鍵)?我們先看MOS管做開關(guān)時(shí)在電路的接法。
  


圖6

想一想為什么是這樣接呢?反過來(lái)接行不行?那是不行的。就拿NMOS管來(lái)說(shuō)S極做輸入D極做輸出,由于寄生二極管直接導(dǎo)通,因此S極電壓可以無(wú)條件到D極,MOS管就失去了開關(guān)的作用,同理PMOS管反過來(lái)接同樣失去了開關(guān)作用。接下來(lái)談?wù)凪OS管的開關(guān)條件,我們可以這么記,不論是P溝道還是N溝道,G極電壓都是與S極電壓做比較:

N溝道: UG>US時(shí)導(dǎo)通。 (簡(jiǎn)單認(rèn)為)UG=US時(shí)截止。

P溝道: UG

但UG比US大(或小)多少伏時(shí)MOS管才會(huì)飽和導(dǎo)通呢?這要看具體的MOS管,不同的MOS管要求的壓差不同。比如筆記本上用于信號(hào)切換的MOS管:N7002,2N7002E,2N7002K,2N7002D,F(xiàn)DV301N等。UG比US大3V---5V即可。

隔離作用

如果我們想實(shí)現(xiàn)線路上電流的單向流通,比如只讓電流由A->B,阻止由B->A,請(qǐng)問該怎么做?
  


但這樣的做法有一個(gè)缺點(diǎn),二極管上會(huì)產(chǎn)生一個(gè)壓降,損失一些電壓信號(hào)。而使用MOS管做隔離,在正向?qū)〞r(shí),在控制極加合適的電壓,可以讓MOS管飽和導(dǎo)通,這樣通過電流時(shí)幾乎不產(chǎn)生壓降。下面我們來(lái)看一個(gè)防電源反接電路。
  


這個(gè)電路當(dāng)電源反接時(shí)NMOS管截止,保護(hù)了負(fù)載。電源正接時(shí)由于NMOS管導(dǎo)通壓降比較小,幾乎不損失電壓,比在電源端加保險(xiǎn)管再在負(fù)載并聯(lián)一個(gè)二極管的方案好一些。
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