Diodes推出100V MOSFET H橋，采用5mm x 4.5mm封裝，有效節省占位面積

發布時間：2016-2-17 12:51 發布者：eechina

關鍵詞： H橋 , N通道 , P通道

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 (5mm x 4.5mm)。這種配置可減少元件數量以及節省電路板空間，另外對要求配備多種器件的應用尤為重要，包括一系列工業檢測系統或海事聲吶設備內的超聲波換能器。其它常見的應用有48V電信設備散熱風扇的直流驅動電機，以及無線充電板線圈等電感負載。

DMHC10H170SFJ具有100V漏源極擊穿電壓 (BVDSS)，提供充足的凈空以支持48V電信軌和工業應用。它還配備5V的柵極電壓，以簡化微控制器的直接邏輯電平接口之設計。該器件的峰值脈沖電流額定值為11A，使之能夠在驅動線圈通電時處理沖擊電流，這一般比直流電機的典型工作電流大五倍。

新產品可替代四個SOT23或兩個SO-8封裝器件，使多個超聲波換能器能以緊湊的陳列部署。以1,024個換能器一組為例，每個都必須由H橋單獨驅動，從而為相控陣系統提供可控的聚焦光束。這種系統用來檢測材料生產流程，并且適用于海事回聲定位系統。

DMHC10H170SFJ采用了V-DFN5045-12封裝，提供市場上獨有的超小尺寸解決方案。新產品以三千個單元為出貨批量。如欲了解進一步產品信息，請訪問www.diodes.com。

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