Diodes推出一對MOSFET H橋，可節省50%占位面積

發布時間：2015-2-26 10:00 發布者：eechina

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產品通過減少元件數量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡化電機驅動和電感無線充電電路。40V額定值H橋DMHC4035LSD旨在滿足車用電機驅動應用的要求；30V額定值H橋DMHC3025LSD則適合12V單相風扇應用。

DMHC3025LSD及DMHC4035LSD把雙N通道和雙P通道MOSFET集成到占位面積僅為5mm x 6mm 的單一SO-8封裝，成為完整的H橋。替代尺寸相當于四個SOT23封裝或兩個SO-8封裝的器件，適用于多種受空間限制的汽車和工業應用，包括低功率直流無刷電機驅動器和風扇控制，并且滿足驅動電感負載的類似要求。

兩款H橋節省空間的優勢與MOSFET的低導通電阻性能相輔相成，40V N通道器件在10V VGS的電壓下一般只有45mΩ的電阻；40V P通道器件的電阻在-10V VGS 的電壓下則為65mΩ。器件的低導通電阻可把傳導損耗降到最低，從而能夠在電機堵轉的情況下承受較高的連續電流。這些30V及40V額定值的H橋在+70ºC的高溫工作環境下，可分別提供3A和2A的連續電流，以適應最壞情況下的電機堵轉電流。

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