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簡介：和大家分享一些數字電子技術知識。 1、由于IC中一般有大量的晶體管參與工作，所以我們必須特別注意芯片的功耗問題，過大的功耗會使得芯片大量發熱而導致無法穩定運行。 2、在一個邏輯門中，當噪聲信號消失后，輸出會回到初始狀態，然而，對于一個觸發器而言，由于它的記憶特性，它將保持新的狀態! 3、三態結構充分利用了推拉式輸出結構工作速度快的優點，同時允許輸出連接在一起，共用一個公共線。 4、在數字系統設計中，我們可以通過減小負載電容、增加驅動電流來縮短延遲時間，因為延遲時間是由邏輯電路的負載電容和驅動電流決定的。 5、很多的IIC總線設備都是直接使用計算機或數字設備的5V電源作為其電源，它們之間采用6針DIN插頭連接。 6、有時為了實現高電壓和大電流的控制，我們必須設計和使用緩沖器接口電路來連接通常的低電平、小電流的TTL或者CMOS電路。 7、使得ECL器件中的雙極型三極管響應非常快的關鍵是使其三極管始終處于非飽和狀態。 8、漏極開路輸出的上拉電阻應該盡量的小，以達到盡可能高的速度，因為這可以減小低電平到高電平轉換的RC時間常數，但是也不能太小了，它的最小值應該由漏極開路輸出的最大吸收電流來決定。 9、數字系統設計中，在工作頻率很高時，一般只有高速的光電隔離電路才能滿足數據傳輸的需要。 10、以前從電路書上看到一個日本人說過，可以采用晶體管或FET并聯的方法形成電路的低噪聲化。至于什么原因，嘿嘿，我至今還沒想明白。 11、電流模式的信號傳輸比CMOS信號傳輸更好，因為電流模式的信號傳輸可以提供更低的電源、更快的操作和更好的抗噪聲能力。 12、對于高速信號來說，由于趨膚效應的原因，傳輸導體可以看做是一個LPF。 13、設計數字電路時，使用小電阻的好處是可以提高器件開關速度和抗噪聲的能力，但是這是以增加功率損耗為代價的。 (P=I2*R) 14、在使用DRAM時，存儲在電容器里的電荷會一點一點地自然漏掉，因此，在每次讀出存儲內容后都必須進行新的充電，這就是所謂的“刷新”。 15、設計時需要注意的是，不管在系統的什么區域，只要存在電流，就會產生電感，這可是引起“地彈”現象的“罪魁禍首”! 16、在1KHz時，假設一段短的接地導線可以測得其電阻為0.01歐姆，等到了1GHz應用時，由于傳輸線的“趨膚效應”，電阻值可能增加到1歐姆左右，更糟糕的是，同時還帶來了幾十歐姆的感抗。 17、在高速系統電路中，對于一個特定的電流返回路徑，由于傳輸線所受的瞬時阻抗的大小不同的原因，其實此時電感要遠比電阻重要。 18、我們應該明確的是，在一般情況下，電路中的電容器本身并沒有消耗多少功率，它所做的功只是無功功率，電容器在一個周期內消耗的平均功率幾乎為零(因為電容器可能存在ESR)，其實大部分的能量都被消耗在加熱驅動電路上了。 19、 在設計推拉式輸出電路時，要注意避免兩個晶體管同時導通，否則的話將產生一個從VCC到地的浪涌電流，這時所消耗的功率將會以熱量的形式消耗在晶體管上了，嚴重的話，會損壞晶體管。 20、數字系統設計中，過快的上升時間是分別通過兩種“約定俗成”的方式來引發問題的：du(t)/dt和di(t)/dt。由此我們可以推斷出：要是電流變化速率越高的話，出現的電感耦合問題自然會更加嚴重。 21、在高頻率應用時，通常應該選用N-溝道型FET，這是因為它的主要載流子是電子，半導體理論告訴我們，電子比空穴具有更好的移動性，說白了就是它能夠更好地適用于高頻率而很少出現不良的“效應”。 22、高頻率領域時，任何形式的阻抗突變都會引起電壓信號的反射與失真，這自然會使得信號質量出現問題，由此可知，我們得好好把握匹配阻抗的問題了。 23、我們應該重點把握數字系統設計的四個核心問題：功率、噪聲、信號傳輸和時序! |
