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近期，上海華虹宏力半導體制造有限公司（“華虹宏力”）舉辦了 “2015年度技術論壇”（北京站）活動，除功率器件、RF-SOI射頻領域的技術之外，華虹宏力重點介紹了2015年最新推出的0.18微米數模混合及嵌入式OTP/MTP工藝平臺增強版、0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺及超高壓700V BCD技術，宣示其在物聯網智能化與低功耗及電源管理IC方面的技術優勢。 華虹宏力執行副總裁孔蔚然博士表示，智能化與低功耗是物聯網的核心，綠色節能是電源管理IC的核心。作為嵌入式非易失性存儲器領域的領導企業，華虹宏力已在智能卡和物聯網方面耕耘多年。我們成功推出了0.11微米ULL嵌入式閃存，該平臺支持RF-CMOS設計，是物聯網應用的最佳選擇。此外，0.18微米數�；旌霞扒度胧絆TP/MTP工藝平臺增強版（0.18 CE工藝平臺增強版），采用業界最具競爭力的光罩層數，是目前市場上極具價格優勢的MCU解決方案。這些解決方案均可為物聯網的智能化與低功耗提供助力。0.5微米700V BCD平臺在LED照明驅動的快速上量，證明是適合綠色節能的工藝平臺技術。 OTP/MTP工藝平臺增強版，兼顧MCU成本和功耗 MCU因為低成本和低功耗在傳感層和邊緣網關設備中發揮重要作用。MCU生產廠商需要全方位為客戶提供所需產品，其中具備數�；旌�電路、嵌入閃存的MCU受到特別重視。 技術論壇上，結合這個市場需求，華虹宏力介紹了該公司最新推出的低本高效0.18微米數�；旌霞扒度胧絆TP/MTP工藝平臺增強版。 “它是在0.18微米低本高效OTP工藝平臺的基礎上研發升級而來，最大優勢是通過利用第三方授權的OTP Cell，并依托自身經驗豐富的嵌入式存儲器IP設計、制造工藝和IP測試三方面的整合能力，可為客戶提供優化的OTP IP，并實現更小的OTP面積、更高的速度、更低的功耗。在MTP解決方案中，客戶通過MTP IP可以方便地在系統上反復修改設計程序，提升客戶產品的功能，改善生產存貨管理。作為OTP MCU的升級版，MTP可提供的容量由1K×8位到8K×16位，其IP面積極具競爭力，可應對客戶多元化和高性價比的需求。”孔蔚然說。 孔蔚然表示，通過這些改進，該工藝平臺在成本、性能和功耗等諸多方面可以滿足物聯網應用的需求。 超低漏電嵌入式閃存工藝平臺，滿足超低功耗需求 除兼顧成本和功耗的MCU制造解決方案外，更令人感興趣的是華虹宏力的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺。物聯網市場對于先進工藝的需求并不是那么高，但對于低功耗卻有甚高的需求。 “新推出的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺支持低至1.08伏操作電壓，小于0.2pA/μm的超低漏電。動態功耗達25μA/MHz，靜態功耗達50nA，可大幅提升電池壽命，延長物聯網及可穿戴式設備的待機時間。該平臺還具有邏輯單元集成度高，包含電源管理單元等特點，門密度達到300K gate/mm2以上，能夠幫助客戶進一步縮小芯片面積。”孔蔚然說。 該工藝平臺的最大特點是可在同一工藝中集成射頻（RF）、eFlash和EEPROM，24層光罩即可生成高性能、低功耗的0.11微米SoC芯片，具備更小的面積、更低的功耗和更強的可靠性等優勢，并降低設計、制造和測試成本。該工藝平臺擁有豐富多樣的嵌入式存儲器IP，同時也提供高密度存儲器編輯器和標準單元庫，可為客戶量身定制性價比優越、全面靈活的解決方案，加速客戶產品上市時間。 基于該工藝平臺生產的低功耗MCU適用于各種智慧節能型產品，例如物聯網、可穿戴式設備、智能電網、嵌入式智能互聯設備、醫療電子、照明，以及工業和汽車電子等方面的應用。 超高壓BCD工藝， 迎合節能環保熱點 隨著客戶對綠色、節能和效率需求的日益增加，出色的電源管理IC（PMIC）技術顯得尤為重要。華虹宏力超高壓700V BCD技術迎合了節能環保熱點，具有業內領先的低導通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點，可為客戶提供極具競爭力的單芯片解決方案。 新一代0.5微米700V BCD工藝是基于2013年第一代1微米700V BCD工藝升級開發而成，在保持原有1P1M（1層Poly，1層Metal）最少版次12塊的低成本優勢基礎上，進一步集成7.5V CMOS和20V/40V的中壓LDMOS以及高壓200V/300V/400V/500V/600V/650V/700V的功率LDMOS，豐富了超高壓電壓系列選擇。 “此工藝平臺其所支持的高壓小電流LED照明驅動應用市場發展前景十分廣闊。我們將繼續拓展先進的電源管理平臺，增強應用于LED照明的先進差異化工藝技術組合，制造高性能、低成本的LED驅動IC，為客戶提供一整套具成本效益的解決方案�！� 孔蔚然表示。 該工藝平臺適用于各種LED照明節能型產品以及電源適配器，后續在馬達驅動應用等方面也會拓展開發系列工藝平臺。 （陳炳欣） |
