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IDT公司的F2923在開關切換時能夠在所有端口提供恒定阻抗，同時不影響隔離度、線性度或插入損耗 IDT公司推出業界首款采用正在申請專利的KZ恒阻抗技術的單極雙擲（SPDT）RF開關產品， IDT F2923是一款低插入損耗單極雙擲吸收式（absorptive）RF開關，設計用于包括基站（2G，3G，4G，5G）、無線回程、CATV和便攜式手持設備等多種RF應用。 
F2923采用的KZ技術可以在射頻端口間切換時控制所有端口的阻抗，保持了回波損耗。對于沒有采用KZ技術的常規開關，由于在開關時不能很好地控制開關阻抗，因而在切換RF路徑時會產生較大的電壓駐波比（VSWR）瞬態，該VSWR瞬態會降低系統性能以及可靠性。在各種不同的動態或“熱交換”方案下，KZ技術的優勢包括：
IDT公司射頻事業部總經理Chris Stephens 介紹說：“對于最新的SPDT開關產品，我們要強調能夠大幅改善開關在線切換性能的新KZ技術。F2923的推出再次證明IDT公司在系統設計專家所期望的核心RF技術創新方面的領導地位。” 除了KZ技術，該器件還可提供下述性能：
IDT公司創新的KZ技術覆蓋從300kHz至8000MHz的寬頻率范圍，在從一個RF端口切換到另一個時能夠確保器件具有近乎恒定的阻抗（VSWR <1.4：1，其他標準開關相比之下為9:1），同時不影響隔離度、線性度或插入損耗。F2923采用3.3V單電源正電壓供電，支持標準的1.8V和3.3V控制邏輯電平。 供貨信息 F2923開關目前可提供樣片，以4×4mm 20-TQFN封裝供貨。 |
