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SLC和MLC的價格差很多，比如256M的SLC nand價格就和1G的MLC nand一樣。MLC優勢確實正在日益凸顯，很快就會成為閃存的主力。至于說它存儲慢、安全性低，這個都是很久以前的事情了，隨著各大芯片生產商對它的完善，現在MLC技術已經比較成熟，這些問題也就模糊了。
總之，建議你還是選擇1GMLC的NAND，一是學習過程中它的驅動架構值得了解，再就是使用上1G比256M的爽很多。貌似現在低價位開發板中只有飛凌在用1G的NAND。
以下文字可供參考：
http://tech.sina.com.cn/digi/2007-01-11/0545214265.shtml
Flash閃存是非易失性存儲器，這是相對于SDRAM等存儲器所說的。即存儲器斷電后，內部的數據仍然可以保存。Flash根據技術方式分為Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盤和MP3中最常用的內存就是Nand Flash。
Nand Flash也有幾種，根據技術方式，分為SLC、MCL、MirrorBit等三種。SLC是Single level cell的縮寫，意為每個存儲單元中只有1bit數據。而MLC就是Multi-Level-Cell，意為該技術允許2 bit的數據存儲在一個存儲單元當中。而MirrorBit則是每個存儲單元中只有4bit數據。
SLC的技術存儲比較穩定，SLC的技術也最為成熟。然而MLC可以在一個單元中有2bit數據，這樣同樣大小的晶圓就可以存放更多的數據，也就是成本相同的情況下，容量可以做的更大，這也是同樣容量，MLC價格比SLC低很多的原因。通常情況下相同容量的MLC和SLC，MLC的價格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。
區分SLC(停產)和MLC（現在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ）
1、看Flash的型號：根據Flash的命名規則，進行區分。
2、測試讀寫速度：SLC的非常快，MLC的很慢。
SLC閃存：即單層式儲存 (Single Level Cell；SLC)，包括三星電子、Hynix、美光（Micron）以及東芝都是此技術使用者
MLC閃存：多層式儲存（Multi Level Cell；MLC)，目前有東芝、Renesas、三星使用，英飛凌（Infineon）與Saifun Semiconductors合資利用NROM技術所共同開發的多位儲存（Multi Bit Cell；MBC）。
除了三星，Hynix等其他存儲器制造商也在向MLC閃存邁進。雖然東芝憑借多年的技術積累而在MLC技術上占據優勢，但英特爾與美光科技的合資企業IM Flash也有能力結合英特爾MLC技術與美光的NAND閃存，從而在MLC型NAND閃存領域迅猛發展。
MLC閃存技術并非沒有不足，實際上，在采用先進工藝生產MLC閃存方面困難重重。隨著閃存技術的演進，在浮動柵(floating gate)中存儲的電荷總量減少了，使得檢測存儲的信息變得更加困難，尤其是對MLC芯片而言，它需要識別四個電壓值，而非兩個。盡管如此，據報道，東芝在70nm工藝中能夠保證采用與90nm技術相同的代碼糾錯方案。這顯示該公司并沒有放慢MLC技術縮放的步伐，最少是就現在而言。
對于我們消費者而言，最關心的就是產品的質量問題，因此，網上流傳很多說法，好像只有使用SLC閃存的產品才是質量好的產品，其實不盡然，產品的質量好壞第一個關節是采用的物料的好壞，第二個關節是廠家是否在生產過程中偷工減料。這兩者都是很重要的。再其次，就是產品的成熟程度，一般剛推出來的產品一般都會存在一些不為人知的問題，只能靠以后的不斷改進才能使產品日趨完善
隨著MP3、MP4控制芯片的更新換代和軟件控制技術的更新，克服了很多難關，目前對于MLC閃存芯片的架駑能力已經很成熟了，再加上MLC閃存生產技術的改進，因此目前很多廠家（包括IPOD）都采用MLC閃存用于消費類數碼產品的生產，尤其是大容量的數碼產品，非它不可！ |
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發表于 2010-7-17 13:12:17
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