|
為貫徹落實(shí)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》,培養(yǎng)一批掌握核心關(guān)鍵技術(shù),處于世界前沿水平的中青年專家和技術(shù)骨干,以高層次人才隊(duì)伍建設(shè)推動(dòng)共性、關(guān)鍵性、基礎(chǔ)性核心領(lǐng)域的整體突破,促進(jìn)我國(guó)軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)持續(xù)快速發(fā)展,工業(yè)和信息化部人才交流中心和比利時(shí)微電子研究中心IMEC定于2015年12月1-2日在復(fù)旦大學(xué)共同舉辦“微納電子器件和MEMS可靠性(BEOL)高級(jí)培訓(xùn)班”,邀請(qǐng)IMEC首席科學(xué)家、IEEE高級(jí)會(huì)員、比利時(shí)魯汶大學(xué)教授Ingrid De Wolf授課。
本課程聚焦于電氣互連可靠性、封裝可靠性和MEMS可靠性,以及可靠性測(cè)試方法和失效分析。課程首先重點(diǎn)介紹后道工序,探討電遷移、電介質(zhì)擊穿、機(jī)械應(yīng)力誘導(dǎo)失效、3D堆疊等內(nèi)容。然后講解IC封裝、MEMS及其封裝的可靠性、應(yīng)力加速可靠性測(cè)試。最后講述故障模式及影響分析,并介紹可靠性中的失效分析,探討和解釋其原理和典型應(yīng)用。
一、主辦單位
工業(yè)和信息化部人才交流中心
比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)
二、協(xié)辦單位
復(fù)旦大學(xué)(微電子學(xué)院)
麥姆斯咨詢
上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)
長(zhǎng)三角IC設(shè)計(jì)與制造協(xié)同創(chuàng)新中心
三、參加對(duì)象
本次課程面向相關(guān)集成電路企業(yè)、科研院所和高等院校從事相關(guān)領(lǐng)域的工程師和研究人員。課程采用全英文授課,不配備翻譯,要求學(xué)員具備相應(yīng)英語(yǔ)水平。
四、培訓(xùn)安排
培訓(xùn)時(shí)間:2015年12月1-2日(2天)
培訓(xùn)地點(diǎn):復(fù)旦大學(xué)(張江校區(qū)),上海市浦東新區(qū)張衡路825號(hào)
日程安排:11月30日15:00-17:00報(bào)到
12月01日8:30舉行開(kāi)班儀式
12月02日17:00舉行結(jié)業(yè)儀式
結(jié)業(yè)儀式將頒發(fā)工業(yè)和信息化部人才交流中心和比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)共同證書(shū),參加培訓(xùn)者可推薦參加國(guó)家“軟件和集成電路人才培養(yǎng)計(jì)劃”評(píng)選。
五、報(bào)名方式
請(qǐng)各單位收到通知后,積極選派人員參加。報(bào)名截止日期為2015年11月26日,請(qǐng)?jiān)诖巳掌谇皩?bào)名回執(zhí)表傳真或發(fā)送Email至麥姆斯咨詢。
郵件題目格式為:報(bào)名微納電子器件和MEMS可靠性(BEOL)高級(jí)培訓(xùn)班+單位+人數(shù)
麥姆斯咨詢:
聯(lián)系人:吳越
電 話:15190305084
E-mail:WuYue@MEMSConsulting.com
六、課程目錄
1. 后道工序可靠性
芯片的后道工序由硅片上數(shù)層互連銅金屬線組成。這些金屬線的目的是實(shí)現(xiàn)晶體管之間的電氣連接,傳遞信號(hào)給外部世界和接收外部世界的信號(hào)。通過(guò)低介電材料使得銅線彼此間實(shí)現(xiàn)電氣隔離。課程首先將進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹,隨后將探討后道工序主要的可靠性問(wèn)題,即電遷移、應(yīng)力誘導(dǎo)空洞和經(jīng)時(shí)絕緣擊穿(TDDB)。最后將講述到利用多孔低介電材料和減薄芯片的3D堆疊的新技術(shù)帶來(lái)新的失效機(jī)理,主要是與機(jī)械應(yīng)力有關(guān)。這些問(wèn)題通常被稱為芯片封裝相互影響(CPI)。
(1) 電遷移
(2) 應(yīng)力誘導(dǎo)空洞和經(jīng)時(shí)絕緣擊穿
(3) 機(jī)械故障,芯片封裝相互影響
2. MEMS和封裝相關(guān)可靠性
對(duì)于MEMS和微電子封裝,除了典型的電氣失效機(jī)理,可能會(huì)出現(xiàn)很多材料相關(guān)和機(jī)械問(wèn)題。首先將介紹MEMS的可靠性要求和測(cè)試方法并闡述MEMS封裝、隨后將講解MEMS及其封裝中可發(fā)生的典型失效機(jī)理,講解中將提供多種示例。此外還將討論一些測(cè)試該類可靠性的專門(mén)方法。在第二部分中,將回顧IC芯片封裝中可能發(fā)生的失效機(jī)理,并介紹一些典型的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)及相關(guān)的問(wèn)題。
(1) MENS+MEMS封裝可靠性和測(cè)試
(2) 封裝可靠性
3. 失效分析
失效模式與影響分析(FMEA)是嚴(yán)格評(píng)估存在于器件制造、測(cè)試和生命周期中潛在問(wèn)題的有效方法。本節(jié)課程從詳細(xì)講解FMEA方法學(xué)開(kāi)始,對(duì)于任何想要開(kāi)發(fā)新器件的工程師來(lái)說(shuō),它是非常有用的,并且它告訴我們一個(gè)在制造前的關(guān)鍵評(píng)估,能以安全的成本和時(shí)間,提高最終產(chǎn)品的可靠性。當(dāng)產(chǎn)品失效時(shí),需要進(jìn)行失效分析,在第二部分中,通過(guò)詳細(xì)討論可用于微電子失效分析的多種失效分析技術(shù),已經(jīng)講解了這部分內(nèi)容。同時(shí)將討論一系列基于電氣、光學(xué)、電子束、聲學(xué)、X射線和磁學(xué)原理的工具,并展示這些技術(shù)的原理和示例。
(1) 失效模式與影響分析
(2) 失效分析和技術(shù)
七、授課專家簡(jiǎn)介
Ingrid De Wolf 英格麗•德沃
IMEC首席科學(xué)家,IEEE高級(jí)會(huì)員,比利時(shí)魯汶大學(xué)教授
Ingrid De Wolf在比利時(shí)魯汶大學(xué)獲得博士學(xué)位。從 1999 到 2014 年,她是IMEC REMO團(tuán)隊(duì)帶頭人,主要研究可靠性、3D技術(shù)測(cè)試和建模、互連、MEMS和封裝,并參與了IMEC內(nèi)部的多個(gè)重要項(xiàng)目 (3D、互連、光學(xué)IO、氮化鎵、光刻、PV、MEMS、STT-MRAM等)。她獨(dú)著或合著有 14篇書(shū)籍章節(jié),并發(fā)表了 350 余篇出版物,其中至少30篇是受邀出版。她還獲得了10項(xiàng)專利。
她多次在大會(huì)中獲得最佳論文獎(jiǎng)(ESSDERC、ESREF、ISTFA、EOS/ESD symposium、IEDM),同時(shí)數(shù)次擔(dān)任會(huì)議主席和技術(shù)委員會(huì)成員,并且是ESREF指導(dǎo)委員會(huì)成員。她還擔(dān)任了許多高質(zhì)量期刊的審稿人。她的web-of-science的h指數(shù)的為26,引用文章(不包括自引文)超過(guò) 2600篇。她在谷歌學(xué)術(shù)搜索的h指數(shù)為 35,引文達(dá)5320篇。她任教課程有非破壞性測(cè)試、MEMS可靠性和失效分析、表征技術(shù)和FMEA。作為一名教授,她指導(dǎo)過(guò)超過(guò)20篇的學(xué)生論文、超過(guò)20篇訪問(wèn)學(xué)生論文、擔(dān)任超過(guò)40篇外部博士論文的陪審員,并指導(dǎo)超過(guò)15篇的博士生論文。
|
|