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針對需要掉電時進行高可靠性數據保存的大數據吞吐量應用 非易失性RAM解決方案簡化了設計，無需電池并減少了管腳數，用于RAID存儲、工業自動化和網絡應用 賽普拉斯半導體公司推出一款具有四個串行外設接口（SPI）的1Mb 非易失性靜態隨機存取存儲器（nvSRAM）。 這一新款nvSRAM的四個SPI接口使得該器件可以在尺寸更小的情況下，超越尺寸更大的并行接口器件的數據吞吐量。該款nvSRAM可為RAID存儲設備、工業自動化、計算和網絡應用在掉電時，無需電池即可保存大吞吐量的數據。 
四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時鐘頻率為108MHz，其性能超過了并行接口（x8 IO 寬度, 45-ns 訪問時間）器件。該nvSRAM 提供了 24MBps的隨機讀寫訪問速度，無限制的寫次數，以及20年的數據保存期。因其I/O寬度更小，其16-pin SOIC 封裝以及 24-ball BGA封裝的芯片管腳數更少，故占板空間也就更少。該器件還包括了一個可選的集成實時時鐘（RTC），未經校準的精度為+/- 50ppm。這款nvSRAM與競爭器件相比具有更低的功耗，工作電流為 5.8mA，睡眠模式電流為10uA。請訪問如下網址觀看該器件的視頻：http://www.cypress.com/video-lib ... -spi-nvsram/307986. 賽普拉斯nvSRAM符合RoHS標準，可直接替代SRAM、帶電池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，無需電池即可提供可靠的非易失性數據存儲功能。掉電時，數據會自動從SRAM傳輸到該器件的非易失性單元。供電恢復后，數據可從非易失性單元恢復到SRAM。這兩個操作也可均由軟件控制。 賽普拉斯非易失性產品業務部總監Sonal Chandrasekhar認為：“關鍵任務系統需要能在掉電瞬間立即可靠地保存數據的高性能存儲器。賽普拉斯的新款1Mb Quad SPI nvSRAM具有在掉電時保護數據安全的能力，其數據吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。” 賽普拉斯的nvSRAM系采用其SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存儲器技術制造，可實現更高的容量、更快的訪問速度和更好的性能。對RAID系統、PLC、工業數據日志、計算和網絡系統、電機驅動、路由器和交換機、航空、國防系統，以及游戲系統等于需要高性能和絕對非易失性數據安全的應用而言，nvSRAM是理想的選擇。 賽普拉斯是SONOS工藝技術的領先者，該技術已用于其旗艦產品PSoC®混合信號陣列、可編程時鐘和其他產品中。SONOS兼容標準的CMOS技術，并有諸多優勢，例如高耐用性、低功耗和抗輻射。SONOS技術已在賽普拉斯內部的工廠和多家代工廠中合規地采用。與其他磁基非易失性存儲技術相比，該技術在規模化和可制造性方面提供了卓越的解決方案。賽普拉斯已經發運了超過20億片采用與nvSRAM中相同SONOS工藝技術的產品。 供貨情況 CY14V101QS 1Mb nvSRAM目前處于樣片階段，預計于2015年三季度量產。 |
