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英特爾與美光最終還是不愿意透露3D XPoint這種內(nèi)存技術(shù)的本質(zhì)，因此也引來許多猜測；它有可能是內(nèi)置了特選的二極管、以實現(xiàn)高密度組件結(jié)構(gòu)的電阻式內(nèi)存(ReRAM)嗎？EE Times的評論家們已經(jīng)試圖從有限的已發(fā)表數(shù)據(jù)中來分析…也許它是相變化內(nèi)存(PCM)的變形？ 市場研究機構(gòu)Objective Analysis首席分析師Jim Handy也在英特爾與美光新內(nèi)存發(fā)表會的現(xiàn)場，并詢問兩家公司的代表，究竟3D XPoint最接近哪種內(nèi)存？但他得到的回答是，目前市面上沒有任何一種技術(shù)像3D XPoint那么成熟；“他們還是沒有揭開神秘面紗；”Handy表示，英特爾與三星就是堅持3D XPoint不像任何一種過往技術(shù)：“根據(jù)他們提供的有限資料，我們也只好照著他們的話說。” 就算它非常神秘，Handy表示3D Xpoint內(nèi)存仍值得注意，但恐怕沒有達到會讓人從半夜驚醒的“突破”；各種替代性內(nèi)存技術(shù)往往是希望能取代DRAM或NAND閃存，不過英特爾與美光卻表示，他們的新內(nèi)存有自己的定位，而且不會讓美光的3D NAND產(chǎn)品藍圖有變化。Handy認為：“它在內(nèi)存階層架構(gòu)(memory hierarchy)中一定有個位置。” 那如果3D Xpoint實際上是塊狀開關(guān)(bulk switching) ReRAM、或是PCM的變種呢？以現(xiàn)有技術(shù)創(chuàng)造一種新使用途徑，其創(chuàng)新性就跟發(fā)明全新的技術(shù)是一樣的，而且如果能聽到ReRAM或PCM是如何被重新設(shè)計才變身成英特爾與美光的3D Xpoint，會比聽到他們是用了什么材料“秘方”或新制程技術(shù)來得更有趣。 在英特爾與美光提供更多細節(jié)數(shù)據(jù)之前，我們對于3D Xpoint內(nèi)存看來也只能繼續(xù)猜測，除非等到采用該新內(nèi)存技術(shù)的產(chǎn)品上市。 來源：eet-china |
