Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款專門用于9 KHz至13 GHz頻段的吸收式單刀雙擲(SPDT)開關HMC1118LP3DE，它具有48dB的高隔離度，在8 GHz條件下運行時僅有0.6dB的低插入損耗。HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制產品組合中的第一款產品，展現了硅工藝技術的固有優勢，與傳統的GaAs（砷化鎵）RF 開關相比具有重大明顯優勢。 這些優勢包括：建立時間比GaAs快100倍；提供強大的ESD（靜電放電）保護（達到2000V，而GaAs僅為250V）；能夠擴展開關的低頻端，比GaAs低1000倍，同時保持高線性度。 
HMC1118LP3DE還提供4W的業界領先RF功率處理能力，在熱切換工作模式下達到0.5W。它的熱切換功率處理能力超出了具有相同RF帶寬的競爭器件的兩倍，這使工程師能夠在他們的應用和系統中提高RF功率，而不會產生器件損壞的風險。HMC1118LP3DE專為高隔離度進行了優化，在最大13 GHz的寬工作頻率范圍內提供極其平坦的傳遞特性，同時保持最低9kHz的高信號保真度。這些特性組合在一起，使得該開關非常適合要求苛刻的測試和測量、自動化測試設備、國防電子產品、無線通信應用，充當傳統 GaAs開關的更低成本替代產品。 HMC1118LP3DE SPDT開關的主要特性 •非反射式50歐姆設計 •正控制：0/+3.3 V •低插入損耗：0.68dB（8GHz時） •高隔離度：50dB（8GHz時） •9KHz的低截止頻率 •7.5微秒的快速建立時間（對于0.05 dB的最終RF輸出電平） •業界領先的高功率處理能力： •35.5 dBm的通過路徑 •27 dBm端接路徑和熱切換應用 •高線性度： •P1dB：+37 dBm（典型值） •IIP3：+61 dBm（典型值） •ESD額定值：2-KV HBM 定價和供貨
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