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CISSOID 公司推出第二代 HADES，一款高度集成的隔離式柵極驅動器產品。 HADES 旨在面向基于快速開關碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉換器、電機驅動器和致動器應用。 憑借 CISSOID 產品無與倫比的耐用性，柵極驅動器 HADES 在嚴酷的環境下可實現更高可靠性和更長的使用壽命，從而滿足系統設計者對航空、汽車、工業、石油和天然氣市場的應用需求。 HADES 包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種，前者可以在溫度最高達 225°C 的極端溫度應用中使用，后者適用于溫度不超過 175°C 但側重點是需要延長使用壽命的系統。 
HADES v2 柵極驅動器包括在隔離式高壓半橋中驅動功率開關柵極所需的所有功能。完整的解決方案經過高度集成并采用緊湊封裝，能夠使快速開關碳化硅功率晶體管發揮所有優勢。 芯片組采用三個集成電路：位于一主側的 HADES2P，另一輔側的 HADES2S 及最近推出的四-二極管 ELARA。主側和輔側芯片均采用陶瓷 QFP 32 針腳或塑料 QFP 44 針腳封裝。 主側芯片 (HADES2P) 將 0.8 歐姆 - 80V集成開關、可配置非重疊及欠壓鎖定 (UVLO) 故障管理功能嵌入電流型返馳控制器中。還包括一個四通道隔離信號收發器 (2 個 Tx 和 2 個 Rx)，用于 PWM 和故障信號從輔側通過微小脈沖變壓器往來傳輸。 這兩個輔側芯片 (HADES2S)（一個用于高位，一個用于低位）包括一個 12A 驅動器、UVLO、退飽和及超溫保護 (OTP) 故障檢測電路以及一個雙通道隔離式信號收發器。 還包括一個評估套件 (EVK-HADES2)，該套件展示置于 HADES v2 柵極驅動器上的半橋及兩個 CISSOID 的 NEPTUNE（10A/1200V SiC Mosfet）。 該套件包括一個帶有該半橋及完整文檔的演示板。該演示板的尺寸僅為 60mm x 55mm (2.4” x 2.2”)。HADES v2 能夠驅動更高功率及其他類型的開關，包括 IGBT 和傳統 MOSFETS。 在不久的將來預期將支持驅動 GaN 晶體管。
HADES v2 憑借熱耐用性使得設計師能夠自由地將柵極驅動器置于功率晶體管旁，從而最大限度地減少寄生電感并實現快速切換，同時降低切換損失。切換損失越低，操作頻率越高，電容器和磁組件的尺寸和重量也顯著減少。此外，操作溫度越高，冷卻需求越低，因而系統的尺寸和重量也越小。 HADES v2 芯片組經優化設計，可最大限度減少有源和無源組件的數量和尺寸，因而可實現將其集成在智能功率模塊 (IPM) 內部（當柵極驅動器位于功率開關旁）。 HADES 集成到 IPM 中將進一步提高轉換器的功率密度，確保在高溫條件下實現長期的可靠運行：在 100 ~ 175°C 應用中實現非常長的使用壽命（幾十年），或在極端溫度 (175°C~225°C) 應用中運行數千小時。 CISSOID 的首席執行官 Tony Denayer 先生解釋道： “ HADES v2 是與系統制造商以及來自各行各業已采用各種電源轉換器的終端用戶經 3 年精誠合作的結晶：其中包括適用于工業應用的電機驅動器、面向鐵路的輔助轉換器、航空發電機或 HEV/EV 汽車電池充電器。 我們匯集了參與第一版本 HADES 研發工作的專家的反饋意見，該 HADES 是第一版本專用于碳化硅 (SiC) 快速開關功率組件的隔離式柵驅動器解決方案，是于 2011 年發布的。 HADES v2 實現了高度集成，融合了 CISSOID 解決方案在過去 15 年所展現的耐用性，也反映了系統設計師在性能、功能、可靠性及成本等方面的要求。 它不僅適用于惡劣環境，而且對于環境溫度不超過 100°C 但關鍵因素是壽命和維護成本的大規模、成本敏感的應用，也非常適合。 總之，HADES v2 開啟了面向真正高密度功率轉換器的大門。 我們許多客戶都迫不及待地等著它的推出。 我們非常自豪地將這款獨一無二的突破性技術推上市場。” HADES v2 數據表可按下列方式從 CISSOID 網站獲取：http://www.cissoid.com/high-temp ... rters-chipset.html.氣密性陶瓷芯片組可立即交貨。 塑料芯片組現可訂購，樣品可于 2015 年 6 月交貨。評估套件現售 (p/n: EVK-TIT2785A-T) 3,300 歐元。 如欲了解更多信息，請訪問 www.cissoid.com 或通過 www.cissoid.com/company/about-us/contacts.html 聯系公司的代表。 |
