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眾所周知，與MOSFET相比，雙極性結式晶體管(BJT)在成本上有很大的優勢。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情況下，當功率級提高到3W以上時，BJT中的開關損失可能就會成為大問題。 Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的雙極結型晶體管(BJT)開關，能夠提供比現有BJT或MOSFET開關更高的效率。新的系列器件專門適用于要求滿足美國能源部(DoE)和歐盟行為準則(CoC)嚴格的新效率標準的充電器和適配器，幫助工程師設計出能銷往美國及歐洲地區且具有更大競爭優勢的產品。 LinkSwitch-4系列恒壓/恒流初級側調節(PSR)開關IC，采用高級自適應基極（Base）-發射極（Emitter）開關驅動技術，該技術還可消除與BJT相關的次級擊穿，降低對電流增益變化的敏感度，從而允許使用成本極低的BJT。自適應基極-發射極開關驅動技術不僅通過大幅優化BJT開關特性來提供設計和制造過程中BJT晶體管的選擇靈活性，而且還可極大提高基于BJT的方案的可靠性。 LinkSwitch-4開關IC采用高級自適應基極-發射極開關驅動技術，得以提高效率 隨著美國DOE-6和歐洲COC V5能效標準實施的逼近，滿足新標準的技術方案需求也日益迫切。DoE新標準DoE-6，是主要針對電池充電器與外部電源的節能標準，它要求在充電器USB電纜末端進行效率合規測量。而CoC V5著重對空載功耗、效率提出更高的要求。 LinkSwitch-4 IC集成了采用準諧振開關策略的多模式PWM/PFM控制器，可提高效率并滿足 LinkSwitch-4適用于要求滿足美國DoE-6和歐盟CoC的新效率標準的充電器和適配器，并能夠用于1.5A和2A大電流智能手機充電器。 另外，除了智能手機，LinkSwitch-4 IC還適用于無繩電話、PDA、MP3和其他便攜式音頻設備的充電器及適配器等應用，并提供SOT-23-6和SO-8兩種封裝。 采用LinkSwitch-4 IC的10W 2A充電器設計 |
