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[原創(chuàng)]申請加精 電容的分類及用法

發(fā)布時間:2009-7-23 09:32    發(fā)布者:Anqi160
關(guān)鍵詞: 電容
電容的用處其實就是“讓交流通過,不讓直流通過。”所以電容可以分離交流信號和直流信號。所以當(dāng)高頻信號是干擾時可以用電容將干擾濾掉。要知道電容的選材原則,首先要知道電容的濾波原理:在高頻場合或?qū)τ诟哳l信號電容等效于一個LCR電路(并聯(lián)等效可以忽略),當(dāng)頻率達(dá)到LCR諧振頻率時電容的阻抗最小,該頻率的信號最容易通過電容。但是當(dāng)電路頻率高于電容的自諧振頻率后,頻率越高電容顯感性阻抗越來越高,使旁路作用大大下降。自諧振頻率受電容值的大小和等效電感的大小決定。電容越大自諧振頻率越,等效電感越大自諧振頻率越低。自諧振公式如下:


一般0.1uF的表面貼電容的等效電感有3nH。那么,它的自諧振頻率為:



也就是說9.2MHz的干擾將很容易通過這個0.1uF的電容被濾掉。
一般可以認(rèn)為ESL15nH/in。例如0603封裝的就是長0.6in、寬0.3inESL=9 nH。下表為通常情況下容值對應(yīng)的濾波頻率(自諧振頻率)。


一、濾波電容作用(旁路或去耦,至少在擺放位置上這兩者是一樣的)
網(wǎng)上參考通常采用旁路電容來解決穩(wěn)壓器無法適應(yīng)系統(tǒng)中高速器件引起的負(fù)載變化,以確保電源輸出的穩(wěn)定性及良好的瞬態(tài)響應(yīng)。旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件,它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化,降低負(fù)載需求。就像小型可充電電池一樣,旁路電容能夠被充電,并向器件進行放電。為盡量減少阻抗,旁路電容要盡量靠近負(fù)載器件的供電電源管腳和地管腳。這能夠很好地防止輸入值過大而導(dǎo)致的地電位抬高和噪聲。地彈是地連接處在通過大電流毛刺時的電壓降。應(yīng)該明白,大容量和小容量的旁路電容都可能是必需的,有的甚至是多個陶瓷電容和鉭電容。這樣的組合能夠解決上述負(fù)載電流或許為階梯變化所帶來的問題,而且還能提供足夠的去耦以抑制電壓和電流毛刺。在負(fù)載變化非常劇烈的情況下,則需要三個或更多不同容量的電容,以保證在穩(wěn)壓器穩(wěn)壓前提供足夠的電流。快速的瞬態(tài)過程由高頻小容量電容來抑制,中速的瞬態(tài)過程由低頻大容量來抑制,剩下則交給穩(wěn)壓器完成了。其次,旁路電容并聯(lián)可以減少整體的ESR,這樣不僅能讓干擾接地的阻抗更小,還能分散每個電容的功耗,延長電容的使用壽命。
個人認(rèn)為:濾波電容就是要在任何情況下,保證供給給器件的電源或信號質(zhì)量可以被接受。具體有一下幾點。1、負(fù)載突然增大電流的需求時,短時間內(nèi)供給負(fù)載電流,保證輸入端電壓沒有大的下降(相當(dāng)于濾除低頻信號)。2、在干擾(高頻)進入負(fù)載前將其濾除。
電容重要參數(shù)作用。
1ESR通常越小越好(除非為了減小并聯(lián)諧振的影響)。干擾電流經(jīng)過ESRESR越小在ESR兩端產(chǎn)生的紋波電壓越小,即抑制紋波的能力越強。ESR收電容類型影響較大具體見下面選材原則。
2ESL永遠(yuǎn)越小越好。越小自諧振頻率越高,濾高頻能力越強。實際設(shè)計時,選取的電容如果ESL較大會影響設(shè)計效果,使原設(shè)計中電容濾除的頻率變低。ESL有三方面決定:1、封裝。表面貼比插針式的小,封裝越小ESL越小。2、引線長度。旁路時要與IC放得盡可能近,越近ESL越小,引線越粗越短ESL越小。如圖。
旁路電容的放置要盡量靠近IC,而且要用粗點的走線。例如:


                                 (a)

圖中b的放置和走線是最好的。
過孔與旁路電容的放置要點。如下:



                      (b)
ab是可以接受的。過孔不能放在旁路電容前面,兩個旁路電容不能連到一個孔上。3、電容內(nèi)的等效電感,實際中不能控制,只有選材時看datasheet
3、容值C越大則濾波頻率越低,但存儲的能量越多,越高則濾波的頻率越高,雖然能更快速提供存儲的能量,但是所存的能量更小。


例一、例如下圖:



VCC5BUCK電路供電,MOS管在開啟關(guān)閉時會有過沖現(xiàn)象。




因而需要在VCC5輸入端有并聯(lián)旁路電容。其中,小容值(small ceramic capacitorC13C14C15)電容起到去除高頻分量的作用(相當(dāng)于濾除高頻小幅值的紋波),大電容(input bulk capacitorCE26CE27)用于Q4導(dǎo)通時瞬間的電流需求,保證5V沒有過大的衰減(相當(dāng)于濾除低頻大幅值的紋波)。此處,取材原則如下:
1、選取大電容input bulk capacitorCE26CE27)時參考如下


封裝類型:



對于大電容(input bulk capacitorCE26CE27)上句說明最好不要用插針式的電容,應(yīng)該使用表面貼式的電容,表面貼的ESL較插針式的要小,自諧振頻率更高,對交流干擾濾波能力就更強(盡管所率頻率較低,ESL永遠(yuǎn)是小越好。





                電容類型:



通過比較,選取表面貼式poscap電容,主要考慮EC4板子的大小限制了器件的大小,要在小區(qū)域完成高性能旁路作用,所以選poscap電容。其他參數(shù)的原因見下。


額定電壓:

此處要求的是可靠性,所以主要選取條件是額定電壓和能承受的最大紋波電流。一般選取電容的額定電壓是實際應(yīng)用的1.5倍以上,此處選取的10TPB220M額定電壓是10V5V的兩倍滿足要求。
最大承受紋波電流:最大承受紋波電流一般為電容濾波線上直流電流的1/2。此處,1.05V的電流是18A,功率約為18.9W。以BUCK的轉(zhuǎn)化效率推斷5V大概需要5A以內(nèi)的電流。所以此處的10TPB220M電容的最大承受紋波電流是3000mA,滿足要求。
等效串聯(lián)電阻ESR:
ESR小可以帶來兩點好處:1、提高電容對瞬態(tài)事件的反應(yīng)能力,使電容能及時提供電流給系統(tǒng)。此處,對這點要求較高,所以選取的電容ESR只有40毫歐姆。2、增強減小紋波電壓的能力。ESR越小紋波電流經(jīng)過電容產(chǎn)生的紋波電壓就越小。
高頻特性Poscap電容的高頻特性很好,容值隨頻率升高減少緩慢,特別是在1005000kHz范圍內(nèi),其ESR及阻抗都相當(dāng)?shù)?/font>(小于0.1Ω),可減小損耗,并且能很好地減小紋波電壓。
溫度特性:

其次,poscap電容的溫度特性很好是X6R10TPB220M在溫度從-55105變化范圍內(nèi),其ESR值及阻抗值基本不變。


體積小適合回流焊10TPB220M 大小為7.3mm*4.3mm,如果用鋁電解電容則體積太大,且數(shù)量要求更多。適合回流焊。
電容的容值:參考公式: 。其中: 為導(dǎo)通電流強度, 5V允許的衰減范圍, 5V開關(guān)電源能響應(yīng)電流需求的時間。所以 。再考慮其作為儲能電容的作用,所以選取兩個220uF,如果實際中發(fā)現(xiàn)Q1導(dǎo)通瞬間電壓不足可以再并一個220uF電容進行調(diào)試。
擺放位置:從公司實際的板子上看,只要是起濾波作用的(旁路、去耦)都一定放在電源入IC的端口附近。即使是圖中CE28CE29這樣的大整流電容(相當(dāng)于濾低頻)也不是放在開關(guān)電源的輸出端,而是放在IC的電源輸入端。
2、小容值電容small ceramic capacitorC13C14C15)選取參考如下:
小容值電容主要是高頻小幅值濾波,因此主要考慮它們的濾波頻帶寬度和濾波能力


上圖是同一容值的不同封裝的阻抗曲線,封裝越大ESL越大,自諧振頻率越小。

上圖是不同容值相同封裝的阻抗曲線,當(dāng)ESL一定(概率上)時,電容值越小自諧振頻率越高,濾高頻效果越好。

上圖是較理想的阻抗曲線,每一個容值的電容封裝都做到最小,這樣每個電容都能發(fā)揮全部的濾波能力。所以濾波可以選取不同的容值,盡量小的封裝的電容。
其次,很重要的一點是,不同容值的電容并聯(lián)可能會引起并聯(lián)諧振。例如。

對在兩個電容自諧振頻率之間的信號來說,一個電容顯感性,一個電容顯容性,則會在某個頻率上發(fā)生并聯(lián)諧振,使阻抗變得很大。但是當(dāng)需要在一個較寬的范圍頻帶上濾波的話則必須要不同容值的電容,避免或減小并聯(lián)諧振的方法是:


增大ESR、減小ESL和使用多量不同容值的電容。實際中,由于板子的大小限制不可能放很多數(shù)量的電容,因此可以盡量選取不同容值的電容。其次,實際中,不能增加ESR那樣會增大紋波,所以只能選擇小ESL的電容。

上圖是相同數(shù)量,兩種容值和三種容值的阻抗曲線。
電容類型現(xiàn)在小封裝的MLCC是高頻濾波的首選,表貼陶瓷電容或者表面貼多層陶瓷電容(MLCC)具有更小的 ESR和更小的ESL。所以此處選擇表面貼的片狀陶瓷電容可以獲得最好的高頻濾波效果。
電容數(shù)量:此處是DC/DC,屬于低頻大電流場合。高頻或中高頻干擾幅值應(yīng)該不是很強,所以用了一個0.1uF和兩個10uF的電容就可以了。如果實際調(diào)試中,發(fā)現(xiàn)高頻濾波效果不理想可以在加幾個0.01uF電容。
封裝類型:濾波電容的引腳會產(chǎn)生等效電感,降低自諧振頻率,影響高頻濾波效果,所以應(yīng)該使用表面貼式的電容。
額定電壓:一般選取電容的額定電壓是實際應(yīng)用的1.5倍以上,此處選取的CRM31C25V的額定電壓,CRM15516V的額定電壓,均滿足要求。
體積小適合回流焊CRM155大小為1mm*0.5mmCRM31C大小為3.2mm*1.6mm


適合回流焊。


高頻等效阻抗特性:優(yōu)良的高頻特性。

CRM31CCRM15的高頻等效阻抗很小,很適合濾除高頻干擾。
電容的容值:由于5V的之前有大量去耦電容的濾波,此處的高頻干擾幅值不會很大所以用一個0.1uF、兩個10uF的電容可以在較寬的頻帶上濾除幅值較低的干擾。

例二


放大:




VCC1_05_FSB進入CPU前先進行一個220uF60.1uF的旁路濾波。
1、選取大電容input bulk capacitorCE25)時參考如下

designguide上說此處的bulk電容可以選用sanyo2R5TPE220MF或者ESR和最大紋波等效電流這兩個指標(biāo)符合要求的電容也可以。


實際中,選用了性能更好的2R5TPE220M9


它的ESR更小和最大承受紋波電流更高。這樣系統(tǒng)的性能將更穩(wěn)定。
其他參數(shù)見上一例
二、小容值電容small ceramic capacitorC567~C572)選取原則如下:
根據(jù)designguide如下


電容類型高頻濾波時,小容量電容0.1μF 量級就能很好滿足要求。表貼陶瓷電容或者多層陶瓷電容(MLCC)具有更小的 ESR。所以此處選擇表面貼的片狀陶瓷電容。
電容數(shù)量此處,高頻干擾幅值較大,所以用了六個0.1uF電容。多個電容并聯(lián)可以減少整體的ESR,這樣不僅能讓干擾接地的阻抗更小,還能分散每個電容的功耗,延長電容的使用壽命。
其他參數(shù)見上一例
濾波電容選取的總結(jié)1、先看ICdatasheetdesignguide里面會告訴我們該IC允許的紋波參數(shù)(盡管我們可以選取高價電容或大量電容把紋波抑制到遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于datasheetdesignguide的指標(biāo),但那樣不見得在投入產(chǎn)出上達(dá)到平衡)
以及參考電路或推薦電容。2、如果datasheetdesignguide中沒有明確指定電容的用法,可以分別根據(jù)濾高頻和低頻兩個方面去注意電容選取使用的原則,實際中可以用示波器查看紋波是否滿足要求。3、如果實際中發(fā)現(xiàn)紋波波動太大,可以根據(jù)噪聲的頻率等參數(shù)和本文的介紹對電容進行優(yōu)化使用。4、本人認(rèn)為儲能電容就是濾低頻的電容,因為儲能電容的作用為芯片提供所需的電流,將電流的變換局限在小范圍內(nèi),如果把這種電流的需求看成是一種噪聲的話,那么儲能電容就是在起到一個濾低頻的作用,無非低頻的分量有時很大,需要電容有較大的容值可以儲存或釋放較大的電流。

二、耦合電容的作用:讓高頻數(shù)據(jù)(有價值的信號)通過電容,把直流信號(無價值的信號)隔離,這樣可以減小直流信號的干擾。保證高頻信號的質(zhì)量。

例如:


上圖是RTL8111C和南橋的PCI-E上的耦合電容差分信號。差分信號除了要等長等間距的原則外,如果是高速信號一般還要加上耦合電容,經(jīng)過實驗發(fā)現(xiàn)不加耦合電容,會發(fā)生IP獲取時間延長或找不到IP的情況。
       耦合電容的選取原則1、電容的精度要高,一般要選10%的,在RTL8111C和南橋的PCI-E上的耦合電容,選取80%~-20%的電容時就會出現(xiàn)傳輸錯誤,找不到IP2、溫度穩(wěn)定性要高至少要選取X7R的。3、容值一般選取0.1uF的,在RTL8111C和南橋的PCI-E上的耦合電容,選取0.01uF電容時就會出現(xiàn)找不到RTL8111C的問題。耦合電容只要有濾除直流的功能就行了,所以不宜選的太小,除非考慮傳輸時有連續(xù)“0或“1的情況,但這在工控機上很少見,可以忽略。


三、晶振調(diào)諧電容(load capacitor)的作用:僅調(diào)節(jié)晶振的頻率。

晶振的等效圖如下。




實際應(yīng)用中,如圖所示。



等效圖。


其中,R1是給G1提供反饋,幫助晶振起振的,一般做在IC內(nèi),如果沒有也可以與晶振并聯(lián)在片外,一般選個大電阻例如10M歐姆。圖中,晶振和諧振電容組成的電路發(fā)生并聯(lián)諧振。所以可以得到如下公式。


設(shè) 解上述方程得


式中我們可以控制的只有 此處的調(diào)諧電容選取原則是1、絕對參數(shù)要滿足要求。2、容值的精度要盡可能高,因為CL的變化可以決定實際晶振的頻率,一般選取精度是最高的5%3、溫度穩(wěn)定性要最好的電容,一般選取NP0的,即不管什么溫度下CL的變化都不大,保證晶振的頻率。4ESLESR越小越好,這樣能使并聯(lián)回路的阻抗更加接近理論值使晶振頻率更加準(zhǔn)確。5、容值參考晶振datasheet6、容值越大晶振頻率越低,容值越小晶振頻率越高,可以根據(jù)這個規(guī)則去調(diào)節(jié)晶振頻率。

四、RC電容的作用:1、以延長電平上升或下降的時間為代價,消除噪聲對系統(tǒng)穩(wěn)定性的影響。2、或者起到延遲信號相位的作用。
其中R的作用是限制C充電或放電的電流,相當(dāng)于調(diào)節(jié)C兩端電壓變化快慢的閥門。
例如1


圖中R128C108就是一個RC電路。C108兩端的電壓不能瞬間變換,除非有大的電流,通過R128來限制C108充放的電流強度。從而使Q26基極電壓在上升或下降時,顯單調(diào)變化使得RI-這個重要的喚醒信號質(zhì)量得到保證。
此處電容的選取原則是1、絕對參數(shù)要滿足要求。2、當(dāng)系統(tǒng)處于S5狀態(tài)時,COM1_RI_CN-COM口拉高,使PM_RI-變有效。不知道COM1_RI_CN-拉高的時間,這里時間常數(shù)為0.2ms。以5倍時間常數(shù)的習(xí)慣,看COM1_RI_CN-拉高的時間可能大于1s。個人認(rèn)為時間常數(shù)不要去太大。3、容值精度對消除噪聲的影響不大,但有關(guān)于喚醒、復(fù)位等關(guān)鍵信號必須小心處理,所以選材質(zhì)量要有保證,此處選擇10%的電容。4、同樣溫度穩(wěn)定性選取X7R,才能保證關(guān)鍵部位的正常。
例如2

C7R3就是一個RC去噪電路。時間常數(shù)是1ms,一般手按鍵的時間最快也要20ms。時間常數(shù)的5倍安全時間遠(yuǎn)小于20ms,所以這個RC既能去噪又能不影響按鍵開機的成功率。選取原則同上。
例如3

圖中C8R5組成一個RC濾波電路,原理同上。圖中看門狗的復(fù)位信號其實也是通過Q2做了一個隔離。但是三級管的隔離效果要遠(yuǎn)小于RC三極管的隔離原理是把開關(guān)信號由低變高時,在開啟電壓以下的波動濾除。或這把開關(guān)信號由高變低時,在開啟電壓以上的波動濾除。而像按鍵時產(chǎn)生的抖動是“0”、“1”間的波動,對此三極管隔離就不夠了。
例如4


在北橋和DVI傳輸芯片的控制信號通過SMBUS完成。但可能965的芯片控制DATA線的速度太快,導(dǎo)致了DVI傳輸芯片無法識別總線的數(shù)據(jù)。于是在DATA線上加一個56pf電容,這個問題就解決了。原理是電容延緩了DATA線上數(shù)據(jù)的改變,延長了數(shù)據(jù)的hold時間。此處電容選擇的原則1、滿足極限條件。2、容值一定要高精度,因為容值決定延遲時間,而延遲時間是解決問題的關(guān)鍵。3、溫度穩(wěn)定性一定要好,一般選NPO的。4容值的選擇可以做實驗或參考AN
       以下是不加電容和加電容波形圖的比對。

沒加電容DATACLK幾乎同時變化。




編輯完畢,請樓主審查!

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Anqi160 發(fā)表于 2009-7-23 09:32:29
我的圖片怎么都顯示不了呢?
zg_z 發(fā)表于 2009-7-23 09:44:00
支持原創(chuàng)~~~
點添加附件,選中圖片后插入就能顯示了
anfaye 發(fā)表于 2009-7-23 09:49:23
謝謝樓主,這段時間正在學(xué)allegro!學(xué)習(xí)了
fenghaili 發(fā)表于 2009-7-23 10:06:09
圖片呢?
riverpeak 發(fā)表于 2009-7-23 10:17:03
支持樓主原創(chuàng),建議在文本編輯器里統(tǒng)一一下字體字號再編輯一下,這樣太亂了
fenghaili 發(fā)表于 2009-7-23 10:19:47
恩。編輯好了就加精。。給你點動力。
老郭 發(fā)表于 2009-7-25 11:36:32
還沒編輯好呀?
Anqi160 發(fā)表于 2009-7-28 11:35:22
最近比較忙沒顧得上來這兒,我今天又發(fā)了個之二,如何接到這個之一下面呀?
fenghaili 發(fā)表于 2009-7-28 12:36:54
已經(jīng)合并,若有疏漏請見諒
Anqi160 發(fā)表于 2009-7-28 12:41:55
不對呀?丟掉了,我的之二的內(nèi)容哪兒去了呢?
jiereliyi 發(fā)表于 2009-7-28 14:13:43
不錯,正找呢。
Anqi160 發(fā)表于 2009-7-29 13:04:19
發(fā)了這么多貼俺怎么還是貧農(nóng)啊
fenghaili 發(fā)表于 2009-7-29 13:09:50
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Anqi160 發(fā)表于 2009-7-29 13:41:59
哎,這就是差距呀,努力。。。。
riverpeak 發(fā)表于 2009-8-13 17:07:22
樓主怎么不繼續(xù)發(fā)表精華貼了
fenghaili 發(fā)表于 2009-8-14 10:49:54
所以還是貧農(nóng)
kljy911 發(fā)表于 2009-10-22 22:41:20
好東西
luofengwu 發(fā)表于 2009-11-19 10:53:49
好啊,謝謝樓主
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