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提供業界最低軟錯誤率的16 MB快速異步SRAM 加利福尼亞州圣何塞， 2014年5月15日 - 賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼： CY ） ，靜態隨機存取存儲器（SRAM ）市場的領導者，今天宣布了一項16 MB快速異步SRAM，帶有糾錯碼（ECC采樣） 。芯片上的ECC功能，使新的SRAM提供數據可靠性的最高水平，而不需要額外的糾錯芯片，簡化設計并降低電路板空間。該器件可確保數據的可靠性在各種工業，軍事，通信，數據處理，醫療，消費電子和汽車應用。 造成背景輻射可以破壞內存內容的軟錯誤，導致關鍵數據丟失。在賽普拉斯的新型異步SRAM的硬件ECC塊執行所有糾錯功能內嵌，無需用戶干預，提供最佳的一流的軟錯誤率（SER ）性能。 16 MB快速異步SRAM實現了10 ns訪問時間，是引腳兼容電流異步SRAM ，使客戶能夠提高系統的可靠性，同時保持電路板布局。 賽普拉斯還推出了一個新的快速SRAM與PowerSnooze 系列，結合了快速SRAM的低待機功耗媲美賽普拉斯的低功耗的MoBL · （更多的電池壽命 ） SRAM系列的10 - ns訪問時間。 PowerSnooze是一個額外的節電深度休眠模式，可實現12微安為16 MB SRAM（典型值）的深度睡眠電流。與PowerSnooze的16 MB快速SRAM還提供片上的ECC 。 “賽普拉斯是全球無可爭議的異步SRAM的領導者，超過30年的設計和開發經驗去與業界最廣泛的產品組合中， ”蘇尼爾Thamaran ，異步SRAM業務部賽普拉斯高級主管說。 “我們新的16 MB快速異步SRAM ，帶ECC提供單芯片，用于高速應用的可靠的存儲解決方案。我們期待著擴大我們的ECC功能的SRAM產品“ 。 賽普拉斯的16 -Mbit的異步SRAM的行業標準X8 ， x16和x32配置提供。該設備在多個電壓下工作（1.8V ，3V ，和5V），在-40℃至+85 ℃（工業）和-40 ℃至+125℃（汽車-E ）溫度范圍。 可用性： 新的16 MB快速SRAM和16MB快速SRAM與PowerSnooze目前已提供樣品在工業溫度級，與生產預計在2014年10月，這些設備將提供符合RoHS標準的48引腳TSOP I ， 48焊球VFBGA ， 119球BGA和54引腳TSOP II封裝。 |
