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Vishay 推出采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技術的新Trench IGBT平臺

發布時間:2014-12-22 16:53    發布者:eechina
600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和軟開關特性,可用于電機驅動、UPS、太陽能電池和焊接逆變器

Vishay發布采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技術的新Trench IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)平臺。Vishay Semiconductors推出的這些器件可提高電機驅動、UPS、太陽能逆變器和焊接設備逆變器的效率,以裸片方式供貨,集電極到發射極的電壓較低,能夠快速和軟導通及關斷,從而降低傳導和開關損耗,650V的擊穿電壓提高了可靠性。



今天發布的IGBT芯片提供多種裸片尺寸,額定集電極電流從30A到240A,擊穿電壓為600V~650V,包括Trench PT和FS器件,每種器件都提供已切割或未切割的裸片。

Trench PT器件具有極低的傳導損耗,負溫度系數使器件在50%額定電流下集電極到發射極電壓低至1.07V,在滿額定電流和+125℃下為1.34V。通過采用Trench結構,IGBT的尺寸比平面工藝的器件小,具有更高的電力密度和更低的熱阻,而不會損失性能和可靠性。Trench PT IGBT適合頻率小于1kHz的低開關頻率。

在滿電流和25℃下,Vishay的Trench FS器件的集電極到發射極飽和電壓只有1.45V,可減少傳導損耗。器件同時具有快速和軟開關特性,既減小功耗,又降低導通和關斷損耗。另外,器件的軟關斷能夠降低峰值電壓,擴大功率等級,簡化電路布局。FS IGBT的工作溫度達+175℃,能實現更健壯的設計,在高溫(150℃)下的短路額定時間只有6μs,使器件在極重負載和失效情況下也能安全和可靠地工作。器件的飽和電壓具有較低的正溫度系數,可簡化并聯設計。

器件規格表:
產品編號VCE (V)IC (A)VCE(ON) / VCEsat (V)技術裸片尺寸 (mm)裸片類型
VS-GC200A060LC6002001.34Trench PT12.6 x 10.3已切割
VS-GC200A060LB6002001.34Trench PT12.6 x 10.3未切割
VS-GC030C060TC600301.45Trench FS3.5 x 4.3已切割
VS-GC030C060TB600301.45Trench FS3.5 x 4.3未切割
VS-GC030C065TC650301.5Trench FS3.5 x 4.3已切割
VS-GC030C065TB650301.5Trench FS3.5 x 4.3未切割
VS-GC200C060TC6002001.45Trench FS10.3 x 9.8已切割
VS-GC200C060TB6002001.45Trench FS10.3 x 9.8未切割
VS-GC200C065TC6502001.5Trench FS10.3 x 9.8已切割
VS-GC200C065TB6502001.5Trench FS10.3 x 9.8未切割
VS-GC240C060TC6002401.45Trench FS12.6 x 10.3已切割
VS-GC240C060TB6002401.45Trench FS12.6 x 10.3未切割
VS-GC240C065TC6502401.5Trench FS12.6 x 10.3已切割
VS-GC240C065TB6502401.5Trench FS12.6 x 10.3未切割

這些器件適合用在電源模塊里,搭配Vishay的新型FRED Pt Gen 4超快軟恢復二極管一起使用,可以實現非常低的EMI,最高工作溫度達+175℃,在單相和三相逆變器、功率因數校正(PFC)電路,以及全橋及半橋DC/DC轉換器里可以即插即用,十分可靠。

理想組合 - Trench IGBT加FRED Pt Gen4二極管
IGBT產品編號FRED Pt Gen4產品編號速度BVCES(V)Ic(A)典型VF(V)裸片尺寸(mm)應用
VS-GC030C060TBVS-4FD156U06A6BCU600301.43.96 x 2.59電機驅動
VS-4FD156H06A6BCH600301.653.96 x 2.59UPS
VS-GC200C060TBVS-4FD378U06A6BCU6002001.459.6 x 6.04電機驅動
VS-4FD378H06A6BCH6002001.69.6 x 6.04UPS

上述IGBT和續流二極管現可訂購樣品,用于客戶評估和認證,將在2015年完成量產爬坡。大宗訂貨的供貨周期為六周到八周。可發郵件到die-wafer@vishay.com,獲取更多信息。
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