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IR 推出采用4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2014-12-17 09:58 發(fā)布者：eechina

關(guān)鍵詞：雙功率 , MOSFET , DC-DC , 同步降壓 , 12V輸入

為DC-DC應(yīng)用提供高密度緊湊型解決方案

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項(xiàng)新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設(shè)計(jì)，適合12V輸入DC-DC同步降壓應(yīng)用，包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、服務(wù)器、顯示適配器、臺(tái)式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應(yīng)用。

IRFH4257D采用IR的新一代硅技術(shù)和封裝專利技術(shù)，以緊湊的4×5功率模塊提供卓越的熱性能、低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 和柵極電荷 (Qg) ，帶來一流的功率密度和更低的開關(guān)損耗。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“與IR的其它FastIRFET器件一樣，IRFH4257D可與各種控制器或驅(qū)動(dòng)器共同操作，為單相位或多相位應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。隨著 IRFH4257D加入IR的功率模塊系列，設(shè)計(jì)師可選擇能滿足其設(shè)計(jì)要求的 4×5或5×6 PQFN封裝。”

IRFH4257D符合工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和第一級(jí)濕度敏感度 (MSL1) 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的物料清單環(huán)保、不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

規(guī)格

器件	PQFN	電流	4.5V下的典型/	4.5V下的典型QG (nC)	4.5V下的典型QGD (nC)
	封裝尺寸	額定值	最大導(dǎo)通電阻
IRFH4257D	4x5	25A	3.7 / 4.6	10	3.4
			1.65 / 2.1	23	7.6

產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)請(qǐng)瀏覽IR網(wǎng)站www.irf.com。

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