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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)與Transphorm建立了新的合作關(guān)系，共同開發(fā)及共同推廣基于氮化鎵(GaN)的產(chǎn)品和電源系統(tǒng)方案，用于工業(yè)、計算機、電信及網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的各種高壓應(yīng)用。 這策略合作充分發(fā)揮兩家公司固有的實力。Transphorm是公認的第一家將600伏(V)GaN硅晶體管量產(chǎn)通過授證的公司，并在這先進技術(shù)有無與倫比的經(jīng)驗。安森美半導(dǎo)體是一家領(lǐng)先的高能效電源方案供應(yīng)商，在系統(tǒng)設(shè)計具備深厚的專知和技術(shù)，提供寬廣的陣容產(chǎn)品，從功率分立器件、高性能AC-DC控制器及集成開關(guān)穩(wěn)壓器到全定制專用集成電路(ASIC)電源管理方案。 GaN在電源應(yīng)用已證明能提供優(yōu)于硅基器件的重要性能優(yōu)勢。安森美半導(dǎo)體和Transphorm合作開發(fā)的新世代封裝產(chǎn)品將提供可靠及授證的方案，令工程師實現(xiàn)前所未有的高能效和功率密度水平。 首批共同開發(fā)的基于600 V GaN晶體管方案預(yù)計將于2014年底前開始提供樣品。這些方案將用于200 W至1000 W功率范圍的高功率密度應(yīng)用，用于電信及服務(wù)器市場的緊湊型電源。根據(jù)合作條款，共同開發(fā)的封裝晶體管產(chǎn)品將包括安森美半導(dǎo)體的用于共源共柵(cascoded)開關(guān)的低壓MOSFET硅片，及Transphorm的獲得證明的GaN高壓高電子遷移率晶體管(HEMT)。這些器件將在安森美半導(dǎo)體的制造廠聯(lián)合封裝、組裝及測試。 電源系統(tǒng)參考設(shè)計將提供給客戶，使他們能夠應(yīng)用包含GaN晶體管和高性能AC-DC控制器的新方案，以充分利用GaN器件的技術(shù)優(yōu)勢。 |
