意法半導體（ST）最先進的STripFET F7 系列低壓功率MOSFET產品新添三款100V汽車級產品。STH315N10F7-2、STH315N10F7-6和 STP315N10F7優(yōu)化了body-drain diode （體-漏極二極管）性能，在工作電壓范圍內最大限度降低峰值電壓脈沖和開關噪聲，實現(xiàn)更穩(wěn)健、更可靠和更高效的設計。
STripFET F7的增強型槽柵結構可降低通態(tài)電阻，同時降低內部電容和柵電荷，使開關速度更快、能效更高。這三款產品將這些優(yōu)勢引入汽車市場，創(chuàng)下汽車市場上最低的RDS(on) x 面積和關斷電能(Eoff)參數(shù)。 新產品對Crss/Ciss 電容比進行了優(yōu)化設計，以最大限度降低開關噪聲，結合適合的二極管反向恢復軟度，可降低EMI/EMC電磁輻射，因此無需外部濾波電路，從而降低了電路板面積和成本。 新功率MOSFET是意法半導體針對汽車應用專門優(yōu)化的產品，能夠滿足汽車應用對大電流、高功率密度和高能效的要求，目標應用包括混動汽車和電動汽車的DC/DC轉換器、DC/AC逆變器和諧振LC轉換器。 三款產品全都獲得AEC-Q101汽車級產品認證。STH315N10F7-2和STH315N10F7-6 采用低雜散電感、高輸出電流的H2PAK封裝，而STP315N10F7采用標準的TO-220封裝。 STH315N10F7-2和STH315N10F7-6現(xiàn)已量產。 如需了解更多詳情，請瀏覽：http://www.st.com/agstripfetf7 |
