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東芝推出低高度封裝軌到軌輸出柵極驅動光電耦合器

發布時間:2014-9-10 14:02    發布者:eechina
關鍵詞: 光電耦合
東芝推出采用低高度SO6L封裝的軌到軌輸出柵極驅動光電耦合器,用于直接驅動中低等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)及功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(power MOSFET)。量產出貨即日啟動。

新款光電耦合器包括用于驅動小功率IGBT的“TLP5751”和用于驅動中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”,它們均采用低高度SO6L封裝。與采用DIP8封裝的東芝產品相比,新產品的高度僅為前者的54%,安裝面積僅為前者的43%,有助于開發更纖薄小巧的裝置。盡管高度較低,但新產品依然保證了8mm的爬電距離和5kV的絕緣電壓,適用于對絕緣規格要求較高的應用。

電氣特性方面,新款光電耦合器擁有軌到軌輸出,在滿擺幅輸出狀態下可通過擴大操作電壓范圍來實現更高的效率。新產品提供1A、2.5A和4A三種輸出電流,以滿足廣泛的用戶需求。新產品還內置東芝獨創的高功率紅外LED,適用于多種應用,包括需要高度熱穩定性的應用,例如工廠自動化、家用光電電力系統、數字化家用電器和不間斷電源(UPS)。

新產品主要規格 
產品型號
TLP5751
TLP5752
TLP5754
峰值輸出電流
±1.0A
±2.5A
±4.0A
供電電壓
15~30V
電源電流
3mA  (最大值)
閾值輸入電流
4mA  (最大值)
傳播延遲時間
150ns  (最大值)
傳播延遲偏差
80ns  (最大值)
軌到軌輸出
預裝
VUVLO功能
預裝
爬電距離
8mm  (最小值)
絕緣電壓
5000Vrms  (最小值)
共模瞬態抗擾度
±35  kV/µsec
工作溫度范圍
-40~110  ºC
適用功率設備
低功率
中等功率
中等功率
IGBT(最高
IGBT(最高
IGBT(最高
20A級)和
80A級)和
100A級)和
功率MOSFET
功率MOSFET
功率 MOSFET


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