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1.TTL電平： 輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是 0.4V。 2.CMOS電平： 1邏輯電平電壓接近于電源電壓，0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。 3.電平轉(zhuǎn)換電路： 因?yàn)?font face="punctuation">TTL和COMS的高低電平的值不一樣,所以互相連接時(shí)需 要電平的轉(zhuǎn)換：就是用兩個(gè)電阻對(duì)電平分壓，沒有什么高深的東西! 哈哈..... 4.TTL和COMS電路比較： （1）TTL電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。 （2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時(shí)間短(5-10ns)，但是功耗大。 COMS電路的速度慢，傳輸延遲時(shí)間長(25-50ns),但功耗低。 COMS電路本身的功耗與輸入信號(hào)的脈沖頻率有關(guān)，頻率越高，芯片集越熱，這是正常現(xiàn)象。 （3）COMS電路的鎖定效應(yīng)： COMS電路由于輸入太大的電流，內(nèi)部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大。這種效應(yīng)就是鎖定效應(yīng)。當(dāng)產(chǎn)生鎖定效應(yīng)時(shí)，COMS的內(nèi)部電流能達(dá)到40mA以上，很容易燒毀芯片。 防御措施： （1）在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過不超過規(guī)定電壓。 （2）芯片的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現(xiàn)瞬間的高壓。 （3）在VDD和外電源之間加線流電阻，即使有大的電流也不讓它進(jìn)去。 （4）當(dāng)系統(tǒng)由幾個(gè)電源分別供電時(shí)，開關(guān)要按下列順序：開啟時(shí)，先開啟COMS電路得電源，再開啟輸入和負(fù)載的電源；關(guān)閉時(shí)，先關(guān)閉輸入信號(hào)和負(fù)載的電源，再關(guān)閉COMS 5.兼容性： CMOS集成電路電源電壓可以在較大范圍內(nèi)變化，因而對(duì)電源的要求不像TTL集成電路那樣嚴(yán)格。所以，用TTL電平在條件允許下他們就可以兼容。要注意到他們的驅(qū)動(dòng)能力是不一樣的，CMOS的驅(qū)動(dòng)能力會(huì)大一些，有時(shí)候TTL的低電平觸發(fā)不了CMOS電路，有時(shí)CMOS的高電平會(huì)損壞TTL電路，在兼容性上需注意。 注： 1.CMOS是場效應(yīng)管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成 2.COMS的邏輯電平范圍比較大（5～15V），TTL只能在5V下工作 3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強(qiáng)，TTL則相差小，抗干擾能力差 4.CMOS功耗很小，TTL功耗較大（1～5mA/門） 5.CMOS的工作頻率較TTL略低，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當(dāng)。 更多單片機(jī)，嵌入式ARM，linux，Java，PCB，FPGA，匯編C，Android，cortex-m3等課程的學(xué)習(xí)請(qǐng)咨詢付老師，電話18137889103，QQ1841388306 |
