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磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)或許在許多應用領域有取代 DRAM 與 SRAM 的潛力，但就連市場上唯一家生產這種非易失性存儲器的供應商都認為，這種取代的過程得花上好一段時間。 一份來自資料儲存產業顧問機構 Coughlin Associates的報告指出，全球 MRAM 市場復合年成長率(CAGR)可達50%，包括MARM與STT-MRAM在內的整體市場營收將由 2013年的1.9億美元，在2019年達到21億美元。 Coughlin Associates創辦人Tom Coughlin表示，MRAM一個最顯著的優勢是能與CMOS工藝相容，此外因為該工藝技術成熟，相關的整合與 3D NAND 技術比起來比較不那么令人卻步。他指出，MRAM技術的演進可能會追隨快閃存儲器的腳步──也就是在被廣泛采用以及價格下降、儲存密度提升之前，先在一些利基型應用領域贏得青睞。 Coughlin并指出，STT (Spin-Torque-Transfer，自旋力矩轉移)-MRAM特別能提供在讀取/寫入以及耐久性方面的優勢。而Gartner分析師Brady Wang則表示，MRAM被發現用來做為固態硬盤(SSD)的快取存儲器，但其密度仍然太低，通常應用在工業領域。 MRAM勝過DRAM的優勢在于其非易失性；Wang表示，，就像NOR或NAND快閃存儲器一樣，STT-MRAM能在沒有持續外部供電的情況下保存資料，而且其耗電量很低。此外由于結構簡單，MRAM的擴展性也優于SRAM，能提升微縮程度并可望進一步降低制造成本。 而Wang也指出，與NAND快閃存儲器相較，STT-MRAM能在沒有中間的抹除步驟情況下，在儲存0與1之間切換；而該抹除步驟在快閃存儲器內是不可少的，也增加了寫入延遲。這使得設計STT-MRAM控制芯片相對比設計NAND快閃存儲器控制芯片簡單許多。 Wang表示，目前市場上唯一生產MRAM芯片的廠商是Everspin Technologies，目前產品最大存儲器容量為64Mb；而128Mb甚至1Gb的MRAM可能會在未來兩年內問世，其中1Gb產品將可望讓MARM進軍消費性應用。 Everspin 產品行銷總監Joe O’Hare表示，其MRAM產品(該公司在5年多前就開始推出)，一開始應用在工業領域；而Everspin也已看到包括工業自動化、機器人、交通運輸以及醫療等應用領域對MRAM的廣泛采用。不過MRAM最大的成長動力是來自企業儲存。 隨著容量提升，Everspin將MRAM視為非易失性存儲器獲得進一步采用的橋梁，在能提供媲美DRAM的性能同時，也能有更多像快閃存儲器一樣的儲存存儲器。O’Hare表示，隨著各種新興技術出爐，MRAM可望成為永久性、高性能儲存技術的關鍵選項。 MRAM 在企業儲存領域的應用案例之一是RAID系統，O’Hare指出，這類應用的考量是要在電力喪失時迅速復原；MRAM被應用于儲存元資料 (metadata)以及儲存系統資料，因此如果電力中斷，系統資訊仍能被保存在非易失性MRAM，讓RAID系統能更快自我重建。 O’Hare也表示，Everspin還看到MRAM在其他企業儲存領域的許多應用，那些應用不需要DRAM的容量密度，但可利用非易失性存儲器的優勢；這個市場的規模很夠分量，而且并不是以價格來競爭，系統的可靠度才是重要推手。 不過Objective Analysis首席分析師Jim Handy 表示，最終價格與容量密度才是決定MRAM是否能大規模取代DRAM 或SRAM的關鍵，雖然其低功耗特性很吸引人，但大多數企業組織并不會去做那樣的整體擁有成本(TCO)估算；MRAM能在某些應用領域取代SRAM，以免除很容易出現故障的備用電池需求。 Handy指出，看重MRAM非易失特性的產業(例如將其應用在ATM的金融業)，會愿意為這種存儲器付出較高的代價；可是在目前，DRAM與快閃存儲器搭配各自的技術演進，仍扮演稱職的角色，因此并沒有立即性的理由被取代。 |
