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Vishay推出用于便攜電子、具有業內最低導通電阻的新款MOSFET

發布時間:2014-4-29 14:29    發布者:eechina
關鍵詞: MOSFET
采用PowerPAK SC-70封裝,2mm x 2mm占位面積可顯著節省空間

Vishay推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件,在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻,在便攜電子產品里能夠節省空間,并提高能源效率。



今天發布的Vishay Siliconix這款-30V VDS器件具有抵御過壓尖峰所需的余量,其12V VGS使器件在-3.7V和-2.5V下具有更低的導通電阻,可用于超便攜、電池供電的產品。MOSFET適用于智能手機、平板電腦、移動計算設備、非植入式便攜醫療產品、硬盤驅動器,以及電動牙刷、刮胡刀,掃描儀和RFID讀寫機具等手持消費電子產品中的負載和輸入過壓保護開關、電池充電器、DC/DC轉換器。對于這些應用,SiA453EDJ提供了18.5mΩ(-10V)、23.5mΩ(-4.5V)、26.0mΩ(-3.7V)和37.7mΩ(-2.5V)的極低導通電阻,內建ESD保護達到4000V。

SiA453EDJ在4.5V下的導通電阻比最接近的-30V器件低36%,比使用12V VGS的最接近器件低50%。MOSFET在-2.5V下的導通電阻比僅次于這款器件的12V VGS器件低46%。這些業內最低的數值使設計者能在電路里實現更低的壓降,更有效地使用電能,并延長電池使用壽命。而器件的小尺寸PowerPAK SC-70封裝能節省非常重要的PCB空間。

MOSFET進行了100%的Rg和UIS測試,符合JEDEC JS709A的無鹵素規定,符合RoHS指令2011/65/EU。

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