金·赫爾尼（Jean Hoerni，1924年9月26日——1997年1月12日）是硅晶體管先驅(qū)，他發(fā)明的平面工藝為羅伯特·諾伊斯開創(chuàng)現(xiàn)代集成電路奠定了基礎(chǔ)。 赫爾尼1924年誕生于瑞士，在日內(nèi)瓦大學(xué)和劍橋大學(xué)獲得兩個博士學(xué)位，之后他移居美國工作，在加州理工大學(xué)工作，并在那里遇到了“晶體管之父”威廉·肖克利。這位諾貝爾物理學(xué)獎得主將赫爾尼招入自己的公司工作。 但僅僅一年之后，赫爾尼就和其他七個同事一起（“八叛逆”）離開肖克利，創(chuàng)辦了仙童半導(dǎo)體公司。 在仙童半導(dǎo)體公司，使用他謙虛地稱為“大學(xué)水平”的物理知識，赫爾尼發(fā)明了一種平面工藝，使用硅而不是鍺制造晶體管。鍺不耐高溫且易漏電，在這些方面，硅有著出色的性能，而硅又是地殼中含量排名第二的元素，極易獲取。 1959年，赫爾尼跟諾伊斯開會的時候，提交了這個工藝的最新版本，會后幾天，諾伊斯就記下了自己對平面集成電路的想法。這個工藝成為了1962年頒發(fā)的專利3025589《制造半導(dǎo)體器件的方法》的基礎(chǔ)。 赫爾尼說話很尖刻，但絕不喜歡炫耀自己的智慧才華，據(jù)說赫爾尼他甚至警告自己的父母：“如果你們想讓我高興，就永遠(yuǎn)不要問我的研究的事情。” 創(chuàng)辦仙童后僅僅幾年，1961年，赫爾尼又和“八叛逆”中的另外兩位成員杰·拉斯特（Jay Last）和謝爾頓·羅伯茨（Sheldon Roberts）創(chuàng)辦了阿內(nèi)爾科(Amelco)，后來阿內(nèi)爾科成為了泰瑞達(dá)的子公司。赫爾尼創(chuàng)辦的公司中最引人注目的是Intersil，它現(xiàn)在已經(jīng)成為通用電氣公司的一部分。 赫爾尼的愛好并不是僅僅創(chuàng)業(yè)，他還是一位狂熱的專用登山者。世界上最高山峰中的大多數(shù)都留下過他的足跡，比如珠峰（沒有登頂）。 “登山是物理學(xué)家共同的娛樂項目。”“八叛逆”中的拉斯特多次跟赫爾尼一起登山，他說：“對于物理學(xué)家來說，很多東西都很模糊，但山脈提供了具體的目標(biāo)和明確的成功。” 拉斯特說，赫爾尼有令人難以置信的耐力，只需一點食物或水就能跋涉數(shù)個小時。為了延長一個舊睡袋的使用壽命，赫爾尼往里面塞進了報紙。有天早晨，在1.2萬多英尺高的地方醒來，他告訴拉斯特說，他打算寫一封感謝函給《華爾街日報》的編輯，說《華爾街日報》是塞睡袋最暖和的報紙。 作為登山者，赫爾尼經(jīng)常前往巴基斯坦境內(nèi)的部分喀喇昆侖山，他被巴蒂山區(qū)居民的貧困境況所觸動，捐贈了1.2萬美元給格雷格·莫藤森（Greg Mortenson），以便在那里的偏遠(yuǎn)村莊建一所學(xué)校。后來赫爾尼又捐贈100萬美元，創(chuàng)辦了中亞協(xié)會（Central Asia Institute），以便在自己死后繼續(xù)為他們提供服務(wù)。赫爾尼任命莫藤森為該組織的首任執(zhí)行主任，繼續(xù)在巴基斯坦和阿富汗修建學(xué)校。 1997年1月12日，赫爾尼因骨髓纖維化在華盛頓州西雅圖過世。 來源：騰訊科技 |
