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作者：范偉---Multicore DSP / FAE，TI公司 摘要 LTE 下行控制信道分為 PCFICH、PHICH 和 PDCCH 三類(lèi)，PDCCH 是其中處理復(fù)雜度最高的。和下行數(shù)據(jù)信道 PDSCH 相比，下行控制信道承載的凈荷較少、占用的 OFDM 符號(hào)數(shù)較少、傳輸模式也僅限于發(fā)射分集，理應(yīng)占用更少的 DSP 核處理資源。但如下兩個(gè)因素導(dǎo)致用戶(hù)的實(shí)現(xiàn)可能消耗可觀的 DSP 核資源：PHICH/PDCCH 的物理資源映射規(guī)則比PDSCH 更復(fù)雜、顆粒度更小，如果在每個(gè)下行子幀按照協(xié)議描述實(shí)時(shí)完成該映射所涉及的所有計(jì)算，消耗的核資源將非常可觀；BCP 用戶(hù)手冊(cè)對(duì) PDCCH 的描述較少，用戶(hù)不易自行補(bǔ)全所有細(xì)節(jié)并產(chǎn)生高效方案，導(dǎo)致用戶(hù)可能退而采用全軟方案。另外，小基站應(yīng)用通常對(duì)全系統(tǒng)功耗和成本有很高的要求，需要盡可能降低處理負(fù)載。本文給出了將實(shí)時(shí)計(jì)算量降至最低的物理資源映射實(shí)現(xiàn)方法，以及用 BCP 實(shí)現(xiàn) PDCCH 比特級(jí)處理的方案細(xì)節(jié)，并提供了全面的硬件實(shí)測(cè)負(fù)載。 1、引言 LTE（Long Term Evolution）是由 3GPP 組織制定的 3G 演進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)，在物理層采用 OFDM和MIMO 技術(shù)。LTE 分為 FDD 和 TDD 兩種雙工模式。目前，LTE-FDD 在 20MHz 頻譜帶寬下的實(shí)際速率大約能達(dá)到下行 100Mbps、上行 50Mbps。LTE-TDD（國(guó)內(nèi)通常稱(chēng)為 TD-LTE）的實(shí)際速率會(huì)隨上、下行子幀的配比關(guān)系而變化。 [1][2][3][4]是主要的幾個(gè) LTE 物理層協(xié)議文本。[1]描述了上、下行發(fā)射機(jī)從星座點(diǎn)調(diào)制到基帶信號(hào)上變頻之間的處理步驟，通常稱(chēng)為符號(hào)級(jí)處理。[2]描述了星座點(diǎn)調(diào)制之前的處理步驟，通常稱(chēng)為比特級(jí)處理。[3]描述了各種物理層過(guò)程。[4]描述了各種物理層測(cè)量。 LTE 的上行信道包括用來(lái)傳輸數(shù)據(jù)和物理層隨路控制信令的 PUSCH，專(zhuān)門(mén)用來(lái)傳輸物理層控制信令的 PUCCH，以及用于隨機(jī)接入的 PRACH。下行信道包括用來(lái)傳輸數(shù)據(jù)的 PDSCH，用來(lái)傳輸各種物理層控制信令的三類(lèi)控制信道——PCFICH、PHICH 和 PDCCH。本文描述的正是這三類(lèi)下行控制信道的發(fā)射機(jī)基帶實(shí)現(xiàn)。 TI 推出了一系列用于 LTE 基站基帶處理的 SoC（System On Chip）。這些 SoC 基于 TI 的KeyStone 架構(gòu)，該架構(gòu)目前已演進(jìn)了兩代——KeyStone I 和 KeyStone II。KeyStone I 家族基于40nm 工藝，包括如下基帶 SoC 器件型號(hào)： • TCI6616，詳細(xì)資料參見(jiàn)[5] • TCI6618，詳細(xì)資料參見(jiàn)[6] • TCI6614 和 TCI6612，詳細(xì)資料參見(jiàn)[7]和[8] • TMS320C6670，詳細(xì)資料參見(jiàn)[9] KeyStone II 家族基于 28nm 工藝，包括如下基帶 SoC 器件型號(hào)： • TCI6636K2H，詳細(xì)資料參見(jiàn)[10] • TCI6634K2K，詳細(xì)資料參見(jiàn)[11] • TCI6638K2K，詳細(xì)資料參見(jiàn)[12] • TCI6630K2L，詳細(xì)資料參見(jiàn)[13] 所有這些器件都具有多模能力，支持 GSM/EDGE、WCDMA、TD-SCDMA、WiMAX、LTE 的單模實(shí)現(xiàn)或混模實(shí)現(xiàn)。所有這些器件使用的 DSP 核都是 c66x，但個(gè)數(shù)不同。TCI6614 和 TCI6612帶一顆 ARM Cortex A8，TCI6636K2H 和 TCI6638K2K 帶 4 顆 ARM Cortex A15，TCI6630K2L帶 2 顆 A15，它們除支持物理層以外，還支持高層（層 2，層 3）和傳輸處理。這些器件也可用于基于 OFDM的無(wú)線(xiàn)回傳（wireless backhaul），如 LTE relay 站。 本文介紹如何在上述 KeyStone 器件上高效地實(shí)現(xiàn) LTE 下行控制信道的基帶發(fā)射。注意，TCI6616 不帶 BCP 加速器，和 BCP 相關(guān)的描述不適合 TCI6616。 下載全文： 
在 KeyStone 器件上實(shí)現(xiàn)高效的 LTE 下行控制信道基帶發(fā)射.pdf
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