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作者：武曄卿 元器件在電應力作用下，產生損傷的核心要素并非電流，而是熱。datasheet上常見個指標__A@1ms，而這個安培數比Ir額定電流一般要大不少，就足以說明此問題了。 熱損傷的來源是兩個，一是EOS，二是環境溫度和工作功率雙重作用下導致的結溫偏高。其原因是在電子產品中，與電流有關的失效，基本都屬于熱失效。電流過載，短時間內，局部導電介質上通過較大的電流，因為導通電阻的存在和作用，會消耗I2R大小的電功率，這些電功率轉化成熱量，熱聚集一處不能被及時散掉，導致局部溫度快速升高，過高的溫度會燒毀導電銅皮、導線和器件本身。這就是電流過應力最終導致熱失效的機理。 EOS又分為兩種，一種是電壓損傷（電流很小），其表現現象以擊穿為主，燒焦的痕跡不明顯。主要應力來源ESD和電路中的過壓。這類損傷的器件以高阻特性的器件為主； 另一種EOS損傷是電流造成的損傷（大電流為主，同時伴隨著電壓），由于電流過載而器件不能及時散熱所引起的器件燒毀。特征是有明顯的燒毀痕跡（對非保護類器件），大部分為開路；而對保護類器件，如壓敏電阻、TVS之類，表現為短路，特別嚴重的也會燒毀。 熱損傷的第二種，是源于器件的負荷特性曲線特性和安全區降額不足導致的燒毀，特征為器件燒毀（對IC，可能會內部燒毀，外部特征不明顯，但測試端口阻抗特性曲線表現為開路）。其機理為如（圖1-1）的器件功率-溫度特性曲線示例（橫軸是工作環境的額定溫度，縱軸是器件上消耗功耗與額定功率的百分比）。 
圖1-1 電子器件負荷特性曲線 由（圖1-1）可以看出，在超過一定溫度后，器件上所消耗電功率的大小在設計上應按一個斜率逐步遞減。這個遞減的斜率取決于電阻的散熱能力，它是熱阻的倒數。 |
