意法半導體（ST）的先進的V系列600V溝柵式場截止型（trench-gate field-stop）IGBT 具有平順、無拖尾電流的關機特性，飽和電壓更是低達1.8V，最大工作結溫高達175°C，這些優點將有助于開發人員提高系統能效和開關頻率，并簡化散熱設計和電磁干擾(EMI) 設計。
通過消除IGBT固有的關斷拖尾電流特性，意法半導體的新器件提高了開關能效與最大開關頻率。新產品的裸片非常薄，這有助于提高開關和散熱性能。意法半導體獨有的優化的溝柵式（trench-gate）場截止型（field-stop）工藝降低了熱阻，最高結溫高達175°C，同時實現了對飽和電壓等參數的嚴格控制，允許多個IGBT安全并聯，提高電流密度和通態能效。 全新的IGBT非常穩定，具有很高的Dv/dt耐壓能力。與IGBT封裝在一起的超高速軟恢復（soft-recovery）二極管可最大限度降低導通能耗。針對成本更敏感的應用，意法半導體還推出了可無二極管的型號供選擇。 意法半導體的20A至80A V系列IGBT現已投產，采用TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247或D2PAK封裝。如需了解更多信息，請訪問www.st.com/igbt |
