東芝推出采用19納米第二代工藝技術的新型嵌入式NAND閃存模塊

發布時間：2013-11-5 09:42 發布者：eechina

關鍵詞： NAND , 閃存

新產品符合JEDEC e･MMC 5.0版標準

東芝公司推出新型嵌入式NAND閃存模塊，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。該模塊符合最新的e･MMC [1]標準，旨在應用于智能手機、平板電腦和數字攝像機等廣泛的數字消費品。批量生產將從11月底開始。

能夠支持高分辨率視頻和提供更大存儲空間的高密度NAND閃存芯片的需求不斷增長。這在包含控制器功能的嵌入式存儲器領域尤為明顯，這種嵌入式存儲器可以使開發要求降至最低，并使得整合進系統設計更加便利。東芝正通過增強其高密度存儲器產品系列來滿足這一需求。

該公司的新型32 GB嵌入式設備在11.5 x 13 x 1.0mm的小封裝中整合了4個64Gbit（相當于8GB）NAND芯片（采用東芝的19納米第二代尖端工藝技術制造）和一個專用控制器。它符合JEDEC于9月發布的JEDEC e･MMC 5.0版標準，并且通過采用新的HS400高速接口標準實現了高讀寫性能。

東芝將在密度為4GB至128GB的單一封裝嵌入式NAND閃存系列中使用這些NAND芯片。所有設備都將整合一個控制器來管理NAND應用的基本控制功能。

新產品系列
產品名稱	容量	封裝	批量生產
THGBMBG8D4KBAIR	32GB	153球FBGA	2013年11月底
		11.5x13x1.0mm
THGBMBG7D2KBAIL	16GB	153球FBGA	2013年11月底
		11.5x13x0.8mm

在16GB和32GB產品之后，東芝將依次推出4GB、8GB、64GB和128GB產品。

主要功能

1. 符合JEDEC e･MMC 5.0版標準的接口可以處理基本功能，包括寫塊管理、糾錯和驅動軟件。它可簡化系統開發，讓制造商能夠使開發成本最小化，并加快新產品和升級產品的上市速度。
2. 嵌入系統后，128GB模塊能夠以128Kbps比特率記錄長達2,222小時的音樂、16.6小時的全高清視頻和38.4小時的標清視頻[2]。
3. 新產品采用使用19納米第二代尖端工藝技術制造的NAND閃存芯片。
4. 新產品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封裝，并且擁有符合JEDEC e･MMC 5.0版標準的信號布局。

主要規格
產品名稱	THGBMBG8D4KBAIR	THGBMBG7D2KBAIL
接口	JEDEC e･MMC 5.0版標準
	HS-MMC接口
容量	32GB	16GB
電源電壓	2.7~3.6V（存儲器核）
	1.7V~1.95V / 2.7V~3.6V（接口）
總線寬度	x1 / x4 / x8
寫入速度	每秒90MB.	每秒50MB
	（循序/HS400模式）	（循序/HS400模式）
讀取速度	每秒270MB	每秒270MB
	（循序/HS400模式）	（循序/HS400模式）
溫度范圍	-25至+85攝氏度
封裝	153球FBGA	153球FBGA
	11.5x13x1.0mm	11.5x13x0.8mm

[1] e･MMC是采用JEDEC e･MMC標準規格制造的嵌入式存儲器產品的商標和產品類別。
[2] HD和SD分別按照17Mbps和7Mbps的平均比特率計算。

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存儲器營銷部門
電話：+81-3-3457-3461

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