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東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

發(fā)布時(shí)間:2013-11-5 09:42    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: NAND , 閃存
新產(chǎn)品符合JEDEC e・MMC 5.0版標(biāo)準(zhǔn)

東芝公司推出新型嵌入式NAND閃存模塊,該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。該模塊符合最新的e・MMC [1]標(biāo)準(zhǔn),旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。

能夠支持高分辨率視頻和提供更大存儲空間的高密度NAND閃存芯片的需求不斷增長。這在包含控制器功能的嵌入式存儲器領(lǐng)域尤為明顯,這種嵌入式存儲器可以使開發(fā)要求降至最低,并使得整合進(jìn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加便利。東芝正通過增強(qiáng)其高密度存儲器產(chǎn)品系列來滿足這一需求。

該公司的新型32 GB嵌入式設(shè)備在11.5 x 13 x 1.0mm的小封裝中整合了4個(gè)64Gbit(相當(dāng)于8GB)NAND芯片(采用東芝的19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造)和一個(gè)專用控制器。它符合JEDEC于9月發(fā)布的JEDEC e・MMC 5.0版標(biāo)準(zhǔn),并且通過采用新的HS400高速接口標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)了高讀寫性能。

東芝將在密度為4GB至128GB的單一封裝嵌入式NAND閃存系列中使用這些NAND芯片。所有設(shè)備都將整合一個(gè)控制器來管理NAND應(yīng)用的基本控制功能。

新產(chǎn)品系列
產(chǎn)品名稱容量 封裝 批量生產(chǎn)
THGBMBG8D4KBAIR 32GB 153球FBGA 2013年11月底
11.5x13x1.0mm
THGBMBG7D2KBAIL 16GB 153球FBGA 2013年11月底
11.5x13x0.8mm

在16GB和32GB產(chǎn)品之后,東芝將依次推出4GB、8GB、64GB和128GB產(chǎn)品。

主要功能

1.    符合JEDEC e・MMC 5.0版標(biāo)準(zhǔn)的接口可以處理基本功能,包括寫塊管理、糾錯(cuò)和驅(qū)動(dòng)軟件。它可簡化系統(tǒng)開發(fā),讓制造商能夠使開發(fā)成本最小化,并加快新產(chǎn)品和升級產(chǎn)品的上市速度。
2.    嵌入系統(tǒng)后,128GB模塊能夠以128Kbps比特率記錄長達(dá)2,222小時(shí)的音樂、16.6小時(shí)的全高清視頻和38.4小時(shí)的標(biāo)清視頻[2]。
3.    新產(chǎn)品采用使用19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造的NAND閃存芯片。
4.    新產(chǎn)品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封裝,并且擁有符合JEDEC e・MMC 5.0版標(biāo)準(zhǔn)的信號布局。

主要規(guī)格
產(chǎn)品名稱 THGBMBG8D4KBAIR THGBMBG7D2KBAIL
接口JEDEC e・MMC 5.0版標(biāo)準(zhǔn)
HS-MMC接口
容量32GB 16GB
電源電壓 2.7~3.6V(存儲器核)
1.7V~1.95V / 2.7V~3.6V(接口)
總線寬度x1 /  x4 / x8
寫入速度 每秒90MB. 每秒50MB
(循序/HS400模式) (循序/HS400模式)
讀取速度 每秒270MB 每秒270MB
(循序/HS400模式) (循序/HS400模式)
溫度范圍-25至+85攝氏度
封裝153球FBGA 153球FBGA
11.5x13x1.0mm 11.5x13x0.8mm

[1] e・MMC是采用JEDEC e・MMC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格制造的嵌入式存儲器產(chǎn)品的商標(biāo)和產(chǎn)品類別。
[2] HD和SD分別按照17Mbps和7Mbps的平均比特率計(jì)算。

客戶垂詢:
存儲器營銷部門
電話:+81-3-3457-3461



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