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在選擇一個具體電容時，不僅要考慮其自諧振頻率，還同樣要考慮電容的介質材料工藝。電容產品中最常用的介質材料是BTC（Barium Titanite Ceramic）。這種材料有高的介電常數，能允許小體積的電容器有大的電容值。設計和制造工藝的差別，使其自諧振頻率范圍為1～20 MHz。工作頻率超過自諧振頻率后，由于介質的損耗因素變成主要因素，使得BTC的性能下降，最高使用頻率為50 MHz。 另一種廣泛使用的電介質材料是NPO（鍶硝石），由于它的介電常數非常小，因此具有更好的高頻特性和溫度穩定性。與其他易受外界溫度和環境變化的電容相比較，NPO的電容值在很寬泛的溫度環境下基本保持不變。 VLSI及高速元件（如CMOS、EOL、BOT邏輯門器件）需要并聯去耦電容。元器件的轉換速率越陡峭，產生的射頻電流頻譜就越大。去耦電容的并聯放置一股用于過濾高頻RF能量并能對電源板噪聲產生旁路作用。多個成對電容圍繞VLSI四周放置在電源和接地引腳之間。在50 MHz系統下，最典型的高頻去耦電容是0，1 pF與0．001 pF并聯；在更高的時鐘頻率下則為0．01 pF與100 pF并聯。 在PCB上1英寸（1英寸＝2．54厘米）的方格上放置一個1 nF的電容（具有非常高的自激頻率），能對信號線和電源板產生的RF電流給予額外的保護，尤其是在高密度分層的PCB上。雖然這些額外的去耦電容的放置位置無法精確計算，但從PCB的模板分析中可見，它們仍然需要繼續 提供去耦旁路。根據PCB的諧振結構不同，方格上放置的電容值可以小到從30~40pF下等。 |
