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工藝進步刺激主頻戰升級 ARM將出3GHz芯片

發布時間:2013-7-10 16:01    發布者:eechina
關鍵詞: ARM , 20nm
由于傳統X86架構和ARM架構的競爭,處理器的工藝可謂是一年比一年先進,隨著臺積電、GlobalFoundries在2014年批量投產20nm工藝,ARM處理器在工藝上的被動局面將會有所緩解。目前由于28nm工藝的限制,無論是高通的驍龍800,還是NVIDIA Tegra 4i,主頻最高只能達到2.3GHz,A15架構的Tegra 4則只能達到1.8GHz。

臺積電方面日前表示,在20nm工藝下,處理器主頻可以提速30%,同時晶體管密度增加1.9倍,功耗則降低25%。這樣的表態對于ARM處理器來說無疑是天大的好消息,僅靠工藝升級就能將主頻提升到3GHz,同時還有更多可用的晶體管來添加新的功能模塊。

功耗的降低還能帶來更低的發熱量和更長的電池續航時間。不過,這個降低25%只是指同頻條件下,如果處理器主頻真的達到3GHz,那實際上耗電量是在增加。

NVIDIA的下一代整合開普勒架構圖形核心的Logan Tegra使用臺積電20nm已成板上釘釘,A15架構的高功耗、高發熱量難題也有望因此迎刃而解。PowerVR 6系列圖形核心同樣宣布了很久,恐怕也是現有工藝不足以支撐的緣故,估計等到20nm甚至16nm出現后,這種情況才能有所改變。

英特爾Atom即將轉向22nm(AMD APU依然是28nm),這么看,明年將是ARM的工藝爆發年。不過,英特爾在新工藝加新架構的Atom帶領下,目前仍可瞬秒ARM。再加上后年就會出推出14nm工藝,ARM的路還很長。

來源:賽迪網

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