Vishay發布新款具有“R”失效率的QPL鉭氮化物薄膜片式電阻

發布時間：2013-7-1 11:13 發布者：eechina

通過MIL-PRF-55342認證的器件具有優異的耐潮能力，可用于軍工和航天應用

賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 7 月1 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出通過MIL-PRF-55342認證的新系列QPL表面貼裝片式電阻---E/H(Ta2N)，該電阻具有公認的高可靠性，失效率達到每1000小時0.01%的“R”級。新款E/H(Ta2N)電阻采用耐潮的鉭氮化物電阻膜技術制造，為軍工和航天應用提供了更好的規格指標，包括0.1%的公差和25ppm/℃的TCR。

今天推出的Vishay Dale薄膜QPL電阻適用于軍工和航天應用的控制系統，在這些場合下，工作過程中的潮氣或長時間存放都是需要考慮的問題。器件的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮能力超過MIL-PRF-55342規定限值的50倍。

E/H(Ta2N)薄膜電阻具有小于25dB的超低噪聲，以及低至0.5ppm/V的電壓系數。電阻的卷繞端接采用牢固的粘附層，覆蓋一層電鍍鎳柵層，使器件可在+150℃溫度下工作，而粘附層產生的電阻還不到0.010Ω。

器件有M55342/01～M55342/12共12種外形尺寸，功率等級為50mW～1000mW，工作電壓為30V～200V，根據公差，阻值范圍49.9Ω～3.3MΩ。

E/H (Ta2N)薄膜電阻現已量產，供貨周期為八周到十周。

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