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飛思卡爾推六款TD-LTE基站全新Airfast RF功率解決方案

發(fā)布時間:2013-6-5 22:26    發(fā)布者:1640190015
關(guān)鍵詞: 飛思卡爾 , TD-LTE , RF
       2013年6月3日,高功率射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域全球領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾半導(dǎo)體公司(紐約證券交易所代碼:FSL)日前推出六款新的Airfast RF功率解決方案,專為2.3/2.6 GHz頻段的TD-LTE基站設(shè)計。  高吞吐量和支持大量并發(fā)用戶的能力使2.3/2.6 GHz成為全球LTE部署的首選頻段。去年年底,中國政府宣布將2.3/2.6 GHz頻段作為TD-LTE技術(shù)部署和應(yīng)用的指定頻段,這顯然意味著重要的成長機遇。
  最新的飛思卡爾Airfast晶體管以小尺寸提供卓越的帶寬和線性效率,專為推動全球TD-LTE網(wǎng)絡(luò)的快速部署設(shè)計。本產(chǎn)品覆蓋功率范圍廣,從50W到200W,為城市蜂窩和宏蜂窩應(yīng)用提供解決方案。
  飛思卡爾高級副總裁兼RF事業(yè)部總經(jīng)理Ritu Favre表示,“飛思卡爾準(zhǔn)確地預(yù)見到2.3/2.6GHz頻段時代的來臨和重要意義,并通過旗下的Airfast產(chǎn)品履行高性能的承諾。” “我們新的RF功率解決方案已經(jīng)上市,幫助加快全球TD-LTE網(wǎng)絡(luò)的部署。”
  飛思卡爾推出的新產(chǎn)品體現(xiàn)了公司致力于提供系統(tǒng)級的基站解決方案,從家庭基站到宏蜂窩基站應(yīng)用,適用網(wǎng)絡(luò)規(guī)模廣泛。除Airfast RF功率解決方案外,飛思卡爾提供了一系列RF GaAs MMIC產(chǎn)品和全面的QorIQ Qonverge平臺,這個平臺是規(guī)模高度可擴展的基站處理器組合的基礎(chǔ),組合建立在通用架構(gòu)之上,涵蓋各種規(guī)模的蜂窩基站。 QorIQ Qonverge平臺讓OEM廠商可以對各種規(guī)模的蜂窩應(yīng)用復(fù)用軟件。
  產(chǎn)品信息
  適用于2.6GHz LTE頻段的四款A(yù)irfast RF晶體管新產(chǎn)品是封裝式線性Doherty器件,以緊湊的小尺寸設(shè)計提供高效率。四款產(chǎn)品包括:
  AFT26HW050S/GS - 專為2496-2690 MHz頻段的城市蜂窩基站應(yīng)用設(shè)計。使用非對稱Doherty技術(shù),提供47.4 dBm的峰值功率。 在9W的平均功率下,該器件可提供47.1%的效率和14.2 dB的增益。
  AFT26P100-4WS - 專為2496-2690 MHz頻段的高功率城市蜂窩基站應(yīng)用設(shè)計。使用對稱Doherty技術(shù),提供51 dBm的峰值功率。在22W的平均功率下。該器件可提供43.9%的效率和15.3 dB的增益。
  AFT26H160-4S4 - 專為2496-2690 MHz頻段的中等功率宏蜂窩基站應(yīng)用設(shè)計。使用非對稱Doherty技術(shù),提供52.6 dBm的峰值功率。在32W的平均功率下,該器件可提供44.4%的效率和15.7 dB的增益。
  AFT26H200W03S - 專為2496-2690 MHz頻段的高功率宏蜂窩基站應(yīng)用設(shè)計。使用非對稱Doherty技術(shù),提供54.6 dBm的峰值功率。在45W的平均功率下,該器件提供44.4%的效率和14.0 dB的增益。
  適用于2.3 GHz LTE頻段的兩款A(yù)irfast RF晶體管新產(chǎn)品是封裝式線性Doherty設(shè)備,以緊湊的小尺寸設(shè)計提供高效率。兩款產(chǎn)品包括:
  AFT23H200-4S2L - 專為2300-2400MHz蜂窩頻段的高功率宏蜂窩基站應(yīng)用設(shè)計。使用非對稱Doherty技術(shù),提供54.6 dBm的峰值功率。在45W的平均功率下,該器件提供42.8%的效率和15.3 dB的增益。
  AFT23S170-13S,可用作Doherty功率放大器的主晶體管或峰化晶體管。在平均功率為45W的AB類功率放大器中,可提供33.9%的效率和18.8 dB的增益。
  關(guān)于Airfast RF功率解決方案
  Airfast RF功率解決方案可提高效率、峰值功率和信號帶寬,同時緩解了成本壓力。這些產(chǎn)品提供了卓越的性能和能源效率,被各種飛思卡爾射頻技術(shù)采用,如LDMOS、GaAs和GaN。
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