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集成解決方案將 MOSFET 和二極管置于一個(gè)封裝內(nèi)，簡化了電路板裝配并節(jié)省了空間 飛兆半導(dǎo)體公司通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。 通過將 MOSFET 和二極管集成到一個(gè)獨(dú)立封裝內(nèi)，F(xiàn)DD1600N10ALZD和FDD850N10LD設(shè)備節(jié)省了電路板空間，簡化了裝配，降低了材料清單成本并改進(jìn)了應(yīng)用的可靠性。 
該元件的N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體 PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝專用于最小化導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。 NP二極管為超快速整流器，帶低正向?qū)▔航担哂谐錾拈_關(guān)性能。 與肖特基二極管相比，其泄漏電流更低，改進(jìn)了高溫應(yīng)用中的系統(tǒng)可靠性。 主要功能： FDD1600N10ALZD: • RDS(ON) = 124 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A • RDS(ON) = 175 mΩ（典型值）@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A • 低柵極電荷 = 2.78 nC（典型值） • 低反向電容 (Crss) = 2.04 pF（典型值） FDD850N10LD: • RDS(ON) = 61 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 12 A • RDS(ON) = 64 mΩ（典型值）@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A • 低柵極電荷 = 22.2 nC（典型值） • 低反向電容 (Crss) = 42 pF（典型值） 都有： • 快速開關(guān) • 100%經(jīng)過雪崩測試 • 可提高dv/dt處理能力 • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) 報(bào)價(jià):（訂購 1,000 個(gè)） FDD1600N10ALZD的價(jià)格為0.49美元。 FDD850N10LD的價(jià)格為0.57美元 可供貨期: 按請(qǐng)求提供樣品。 交貨期: 收到訂單后 8-12 周內(nèi) 若要取得產(chǎn)品PDF格式的數(shù)據(jù)頁，請(qǐng)?jiān)L問網(wǎng)頁： http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDD1600N10ALZD.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDD850N10LD.pdf 查詢更多信息，請(qǐng)聯(lián)絡(luò)飛兆半導(dǎo)體香港辦事處，電話：852-2722-8338；深圳辦事處，電話：0755-8246-3088；上海辦事處，電話：021-3250-7688；北京辦事處，電話：010-6408-8088 或訪問公司網(wǎng)站：http://www.fairchildsemi.com/cn/。 |
