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全新功率晶體管系列采用先進的內部結構，擁有業(yè)界最低通態(tài)電阻，適用于低能耗、高空間效率的設計 意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出能夠降低電信系統(tǒng)、計算機系統(tǒng)、太陽能逆變器、工業(yè)自動化以及汽車電子等應用設備的環(huán)境影響的新一代高能效功率器件。 意法半導體全新STripFET VII DeepGATE MOSFET 在當前市場銷售的80V和100V功率晶體管中擁有最高的導通效率，同時提高了開關效率。此外，新產品有助于簡化設計，使用數(shù)量更少且封裝更小的器件滿足系統(tǒng)功耗和能效目標，從而降低了設備尺寸和成本。 增強的MOSFET柵結構是意法半導體STripFET VII DeepGATE技術的重要進步，降低器件通態(tài)電阻的同時還降低了內部電容和柵電荷，進一步提高開關速度和效率。新產品的抗雪崩能力優(yōu)異，使產品在可能損壞器件的惡劣條件中仍可正常工作，因此STripFET VII DeepGATE是汽車電子應用的最佳選擇。 現(xiàn)在可訂購的STripFET VII DeepGATE樣片或產品超過15種，包括STP270N8F7 80V器件和若干100V器件，客戶可選擇TO-220、DPAK、PowerFLAT 5x6和2針腳或6針腳H2PAK封裝。如需大量訂購，請聯(lián)絡意法半導體銷售辦事處。 
關于意法半導體MOSFET和電壓額定值： STripFET VII DeepGATE是意法半導體強大的MOSFET技術家族的新成員，在各種應用使用的主要電壓額定值下，提供業(yè)界領先的能效、功率容量和耐用性。STripFET VII DeepGATE技術特別適用于直流電壓驅動的電氣系統(tǒng)，如電信設備廣泛使用的48V直流電壓。80V或100V器件具有充足的安全裕量，可承受在48V系統(tǒng)中常見的過壓電涌。優(yōu)異的可靠性讓STripFET VII DeepGATE還可用于12V或24V汽車電子應用。 工業(yè)電源還需要像MDmesh 超結技術一樣的功率技術，因為此項技術在較高電壓額定值時能效十分優(yōu)異。600V或650V MDmesh器件為交流－直流電源、照明鎮(zhèn)流器和顯示器提供適合的安全裕量。意法半導體近期發(fā)布的全新高能效MDmesh產品系列以低柵電荷為特色，適用于諧振型功率轉換器，如液晶電視電源（MDmesh II Low Qg）。 詳情請訪問 www.st.com/pmos |
