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英飛凌科技股份公司推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對所有標(biāo)準(zhǔn)封裝實現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS(on)。另外，得益于低開關(guān)損耗，還可在任何負載條件下實現(xiàn)能效改進。C7適用于連續(xù)導(dǎo)通模式功率因數(shù)校正（CCM PFC）、雙管正激（TTF）和太陽能升壓拓撲等硬開關(guān)拓撲，典型應(yīng)用包括太陽能、服務(wù)器、電信設(shè)備和UPS（不間斷電源）。650V擊穿電壓還使C7適用于需要額外安全裕度的應(yīng)用。 “C7延續(xù)了高品質(zhì)超結(jié)CoolMOS技術(shù)12年創(chuàng)新發(fā)展之路，進一步鞏固了英飛凌在高端功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”英飛凌高壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品負責(zé)人Jan-Willem Reynaerts指出，“憑借CoolMOS C7一流的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on)*EOSS），我們的客戶可以設(shè)計出前所未有的具有更高功率密度和效率的新一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。” C7系列提供全球最低導(dǎo)通電阻，TO247封裝可以到19mΩ，TO220和D2PAK可以到45mΩ。如今，C7的快速開關(guān)性能可使客戶服務(wù)器PFC級首次實現(xiàn)100 kHz以上的開關(guān)頻率，同時達到鈦級能效。這可降低對無源組件的空間要求，從而提高功率密度。 此外，降低的輸出電容（Eoss）以及低柵極電荷（Qg）還提高了輕載條件下的能效。將性能一流的C7與英飛凌全新的碳化硅（SiC）thinQ!™第五代肖特基二極管系列和ICE2 / ICE3控制IC結(jié)合在一起，可設(shè)計出性能無與倫比的CCM PFC電路。 供貨情況 650V CoolMOS C7現(xiàn)已可提供樣品。將于2013年6月開始量產(chǎn)。 如欲了解英飛凌全新650V CoolMOS C7家族的更多信息，請訪問www.infineon.com/c7。 |
