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最新的MDmesh V超結MOSFET采用創新的4針封裝 ，增加專用控制輸入，提高開關能效 意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出首款采用全新封裝技術的MDmesh V超結MOSFET晶體管，新封裝技術可提高白色家電、電視、個人電腦、電信設備和服務器開關電源等設備的功率電路能效。 新的TO247-4 4針封裝提供一個開關控制專用直接源極針腳，而傳統封裝是開關和電源共用一個針腳。增加的針腳能夠提高開關能效，降低開關損耗，支持更高的開關頻率，進一步降低電源尺寸。 
該封裝是意法半導體與英飛凌的合作開發成果，英飛凌也推出其新款超結器件，為客戶選購超結MOSFET提供了另一個選擇。意法半導體功率晶體管產品部市場總監Maurizio Giudice表示：“TO247-4具有很高的成本效益，用于替代標準TO-247 器件時，只需對印刷電路板布局略加修改，從而簡化了該器件在電源系統的應用。采用這一封裝的全新意法半導體MDmesh器件可提高工作能效，使終端設備更加節能環保。” TO247-4封裝集成了實現至源極Kelvin連接的內部結構，這個連接旁通了主電源連接的共源電感，可消除高達60%的開關損耗，設計人員可使用更高的開關頻率和更小的濾波器件。新封裝結合意法半導體的MDmesh超結技術，實現最高的單位硅面積導電效率及最好的總體節能效果。 此次推出的產品是STW57N65M5-4。作為首款TO247-4封裝的MDmesh產品，STW57N65M5-4可提高主動功率因數校正（PFC）電路和全橋或半橋功率轉換器的能效，適用于各種消費電子和工業電子產品。 TO247-4封裝的STW57N65M5-4的更多特性： • 高抗噪性，可降低電磁干擾（EMI）敏感度 • 增強的額定電壓，可提高安全系數 • 高耐dv/dt能力，可提高可靠性 • 100%雪崩測試，可用于耐用性設計 STW57N65M5-4現已量產。詳情請訪問http://www.st.com/to247-4-pr |
