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單個(gè)封裝中的四個(gè)60V MOSFET可提高系統(tǒng)效率，替代二極管整流橋，實(shí)現(xiàn)緊湊的設(shè)計(jì)并節(jié)省電路板空間 高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用（如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)）中的過(guò)熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問(wèn)題。 同樣，熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器，也會(huì)降低相機(jī)的圖片質(zhì)量。 調(diào)節(jié)熱波動(dòng)的典型散熱解決方案會(huì)增加元件數(shù)量，占用電路板空間，讓這些設(shè)計(jì)變得更復(fù)雜。 飛兆半導(dǎo)體的FDMQ86530L 60V四路MOSFET為設(shè)計(jì)人員提供了一體式封裝，有助于克服這些嚴(yán)峻的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 FDMQ86530L解決方案由四個(gè)60V N溝道組成，采用飛兆GreenBridge™技術(shù)，改進(jìn)了傳導(dǎo)損耗和傳統(tǒng)二極管整流橋的效率，將功耗降低了10倍。 該器件采用熱增強(qiáng)、節(jié)省空間的4.5 x 5.0 mm MLP 12引腳封裝，免去了散熱需要，實(shí)現(xiàn)了緊湊設(shè)計(jì)，提高了12和24V AC應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換效率。 
規(guī)格： • 最大RDS(ON) = 17.5 mΩ（VGS = 10V，ID = 8A） • 最大RDS(ON) = 23 mΩ（VGS = 6V，ID = 7A） • 最大RDS(ON) = 25 mΩ（VGS = 4.5V，ID = 6.5A） 封裝和報(bào)價(jià)信息（訂購(gòu) 1,000 個(gè)，美元） 按請(qǐng)求提供樣品。交貨期：收到訂單后 8-12 周內(nèi) FDMQ86530L產(chǎn)品采用4.5 x 5.0mm MLP 12引腳封裝，價(jià)格為 1.38美元。 FDMQ86530L產(chǎn)品是飛兆半導(dǎo)體全面的分立式MOSFET產(chǎn)品組合的一部分，再次體現(xiàn)了公司承諾：即提供最具創(chuàng)新的封裝技術(shù)，以目前最先進(jìn)的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最小尺寸、最大熱性能和最高效率。 取得產(chǎn)品PDF格式的數(shù)據(jù)頁(yè)，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)網(wǎng)頁(yè)：http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMQ86530L.pdf 查詢更多信息，請(qǐng)聯(lián)絡(luò)飛兆半導(dǎo)體香港辦事處，電話：852-2722-8338；深圳辦事處，電話：0755-8246-3088；上海辦事處，電話：021-3250-7688；北京辦事處，電話：010-6408-8088 或訪問(wèn)公司網(wǎng)站：http://www.fairchildsemi.com/cn/。 |
