|
據(jù)IC Insights，在經(jīng)歷了2010年和2011年的強勁上漲后，由于經(jīng)濟(jì)增長乏力及對于未來經(jīng)濟(jì)的不確定性，2012年功率晶體管的銷售額下跌了8%。 不過，IC Insights預(yù)計2013年功率晶體管的銷量將上升7%至132億美元，2013年將繼續(xù)增加8%至143億美元，同時打破2011年創(chuàng)造的135億美元記錄。 據(jù)IC Insight統(tǒng)計，全球過去十年功率晶體管市場下滑共出現(xiàn)過三次，分別是2005年的-5%，2009年的-16%以及2012年的-8%。不過在2009年大幅下跌16%以后的2010年及2011年，市場的回暖速度超過了44%與12%。因此隨著2012年的萎縮，IC Insight預(yù)計之后的兩年市場將繼續(xù)保持高速增長，不過未來五年內(nèi)，有可能再次遭受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的低谷。 盡管如此，功率晶體管仍然占據(jù)了整個分立半導(dǎo)體市場的半壁江山，2011年分立半導(dǎo)體市場上升12%至234億美元，隨后的2012年分立器件市場下跌7%至217億美元。 IC Insight預(yù)計，2017年，功率晶體管將占據(jù)整個分立半導(dǎo)體市場的六成以上，年復(fù)合增長率將達(dá)到8.5%，而分立半導(dǎo)體總體的復(fù)合增長率約為7%。 功率晶體管需求的增加，主要來自于包括電池系統(tǒng)、混動/電動汽車、太陽能/風(fēng)能發(fā)電、智能電網(wǎng)以及其他提高系統(tǒng)能效的產(chǎn)品。 功率晶體管的主要產(chǎn)品低壓FET（40V以內(nèi)）復(fù)合增長率將達(dá)到9.7%，而IGBT模塊復(fù)合增長率將達(dá)到9.2%，IGBT晶閘管的增長率為8.8%，高壓FET（400V以上）的增長率將達(dá)到8.6%。 |
