東芝推出600V系統超級結MOSFET DTMOSIV高速二極管系列

發布時間：2013-4-9 09:27 發布者：eechina

關鍵詞：超級結 , MOSFET

RON較現有產品降低了30%，反向恢復時間為現有產品的三分之一

東芝公司(Toshiba)推出了基于第四代600V系統超級結(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二極管。新系列采用最新的單外延工藝打造，其每單位面積導通電阻(RON•A)較現有產品降低了約30%(注1)，處于業界領先水平。(注2)另外，高速寄生二極管的反向恢復時間約為現有產品的三分之一(注3)，降低了損耗并有助于提高功效。

(注1) 與此前的“DTMOSIII”系列比較。東芝數據。
(注2) 截至2013年4月2日。東芝數據。
(注3) 與現有的“TK16A60W”產品比較。截至2013年4月3日。東芝數據。

應用
開關電源，微逆變器，適配器和光伏逆變器

主要特性
1. RON•A較現有產品（DTMOSIII系列）降低了30%。
2. 高速寄生二極管的反向恢復時間約為現有產品的三分之一。
3. 采用單外延工藝打造，確保高溫時的導通電阻和反向恢復時間只會小幅增加。
4. 寬廣的導通電阻范圍（0.65-0.074Ω）
5. 多種封裝

主要規格

產品型號	絕對最大額定值		RDS(ON) 最大值 (Ω)	Qg 標準值 (nC)	Ciss 標準值 (pF)	trr 標準值 (ns)	封裝
	絕對最大額定值		RDS(ON) 最大值 (Ω)
	VDSS (V)	ID (A)	VGS=10V
TK16A60W5	600	15.8	0.23	43	1350	100	TO-220SIS
TK31J60W5	600	30.8	0.099	105	3000	135	TO-3P(N)
TK39J60W5	600	38.8	0.074	135	4100	150	TO-3P(N)

通過下方鏈接了解該產品詳情：http://www.semicon.toshiba.co.jp ... s/1267582_2470.html

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