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意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布其先進的超結功率MOSFET晶體管系列新增快速開關產品，用于高能效消費電子產品、計算機和電信系統、照明控制器和太陽能設備。 新產品可提升設備電源能效，如200-500W中等尺寸電視。如每年制造的2億臺液晶電視 均采用新的 MDmesh II Plus Low Qg（低柵電荷）功率晶體管，每年溫室氣體將減排14多萬噸，這個數字相當于約3萬輛客車的尾氣排放量 。 僅有少數芯片廠商掌握超結技術，采用此項技術的功率晶體管具有小尺寸、耐高壓和導通能效優異等諸多優點。意法半導體在這個技術領域居全球領先水平，除MDmesh功率MOSFET外，現在又推出了性能更高的MDmesh II Plus Low Qg系列。這些先進特性可降低管內柵極電荷數量，提高開關以及導通時的能效，有助于液晶電視常用的諧振型電源節省電能。 在改進設計后，新產品降低了柵電荷（Qg）以及輸入和輸出電容，這些參數有助于進一步提高開關速度和能效，推進液晶電視開發人員選用超結晶體管設計諧振電源。直到現在，超結晶體管仍主要用于設計硬開關拓撲，在電流電壓都很高的條件下執行開關操作。在諧振型電源內，兩支電感和一支電容（LLC功率轉換器）可確保晶體管的開關電壓為零電壓，以保證系統電流曲線平滑，從而提高能效。電壓瞬變可燒毀晶體管，引起誤開關，MDmesh II PlusTM Low Qg新系列擁有高抗瞬變能力，可承受輸入電壓突然劇變（dv/dt），讓新產品能夠在交流電力線上噪聲和諧波等瞬變事件惡劣的環境中穩定工作。 首款投產的MDmesh II PlusTM Low Qg產品為采用TO-220封裝的STP24N60M2。意法半導體將擴展此系列至50余款不同封裝的產品，如TO-220FP， I2PAK，I2PAK FP，D2PAK，TO-247 和PowerFLAT 8x8。 STP24N60M2主要特性： • 通態電阻（RDS(ON)）：190mΩ • 擊穿電壓：600V • 最大連續漏極電流（ID）：18A • 抗dv/dt能力：50V/ns • 100%雪崩測試 |
