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基于硅石的專有FBP光纖優化用于NIR衰減和抗紫外線曝曬，提升較寬光譜范圍的傳輸性能 Molex子公司Polymicro Technologies成功地開發了一款使用低氫氧基(low-OH)純硅石內芯的寬光譜光纖，該光纖具有顯著減少的紫外線(UV)缺陷和其它UV吸收中心點含量。Polymicro的專有FBPI光纖利用了標準光纖的優勢并減少其限制。基于硅石的寬帶FBPI光纖在大大增寬的光譜范圍具有改進的傳輸特性，提供一系列密度選擇，能夠制造50-600 μm內芯直徑光纖。 Polymicro Technologies業務發展經理Robert Dauphinais表示：“我們新的寬光譜FBPI光纖經優化用于全景攝譜儀和傳感器分析，創造了業界第一。FBFI光纖提供了出色的性能，并結合了耐輻射和耐曝曬性能，防止輻射和曝曬導致光纖性能退化并縮短產品壽命。” 
在超過2100 nm的近紅外(NIR)波長區域，Polymicro FBPI光纖的衰減等同于具有低氫氧基硅石內芯和加氟覆層的標準NIR光纖，其抗曝曬性能可與具有高耐輻射性的標準UV優化高氫氧基光纖相媲美，并且具有低至200 nm的UV傳輸性能。 許多光譜應用需要在寬光譜范圍傳輸光線，并且具有最小焦比衰退的高性能光纖。與受限于傳輸光譜范圍的標準光纖不同，Polymicro FBPI光纖可以在較寬的波長范圍進行傳輸，在整個波長范圍具有相對的一致性。 Dauphinais補充道：“與現今市場上的任何其它光纖相比，FBPI光纖可以在較寬的波長范圍應對UV曝曬和NIR衰減，這在擴大光譜測量范圍和提高器件靈敏度方面具有顯著的優勢。” FBPI寬帶光纖設計用于一系列高性能光譜應用，包括光纖測試、環境監控、氣相測量、精密外科和工業激光應用及高性能氣體或液體色譜法。 |
