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作者：SEMI 特約評論員：釗銘 據新華社消息，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心最近在22納米技術代集成電路關鍵技術研發上取得突破性進展。消息稱該中心的研究人員摒棄了傳統的二氧化硅、多晶硅等材料，采用高K材料、金屬柵等新材料、新工藝，研制出了性能良好的器件，技術水平達到國內領先、世界一流。 報道還介紹在研發過程中，中國科學院與北京大學、清華大學、復旦大學的聯合項目組完成了1369項專利申請，其中包括424項國際專利申請，為中國在集成電路領域掌握自主知識產權，取得國際話語權奠定了基礎。該成果的取得也為中國繼續自主研發更先進的16納米及以下技術代的關鍵工藝提供了必要的技術支撐。 據了解，美國Intel 公司采用高K材料和金屬柵結構的22納米微處理器在2011年下半年已經實現量產，目前Intel公司正在美國興建一座全球最先進的工廠，預計在2014年有望實現14納米產品的量產。中國目前最先進的、國家“自主可控”的芯片制造公司是中芯國際，其量產的能力在45 納米產品。中芯國際 32 納米產品的量產能力還在形成當中，預計2013年可以試產。 總體上，中國最先進廠商和國際一流廠商的生產技術水平大約相差2～3代（4～5年），而自主研發的能力相差更大。從中科院有關項目的進展以及項目聯合單位的組成來看，中國的基礎集成電路工藝研發和生產制造之間脫節的問題還沒有解決。在美國，象紐約州Albany 納米技術中心這樣的研究機構承擔了一些先進工藝的先期、探索性的開發工作，其經費來源有來自政府的研究基金，也有企業通過項目合作的方式提供的資助，研究項目和企業生產實際結合的較好。在中國， “學院式” 的研發如何和工廠生產實踐中遇到的科研問題相結合還有待磨合。其實中國在上世紀70-80年代曾經推廣過的“科研和生產實踐相結合”的路子有其非常合理的一面，可惜物極必反，很多事情做過頭又矯枉過正，結果好的東西反而得不到“批判性”地傳承。 |
