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據國外媒體報道，惠普9日披露了“記憶電阻”研究項目的信息。業內分析師認為，這一技術將對計算機和個人設備產生極大影響。 盡管記憶電阻的初衷是擴大設備的存儲容量，但惠普的研究人員發現，這一技術也可以用于邏輯運算。這意味著，未來6至8年內記憶電阻器芯片可以同時處理存儲和邏輯運算任務。分析師稱，這將給計算機產業帶來重大變化。 加百利咨詢集團分析師丹·奧茲(Dan Olds)表示，記憶電阻器可能會“顛覆”計算世界，因為采用這一技術的芯片可以同時充當存儲裝置和處理器，與大腦的神經節相似。與傳統計算機相比，新型計算機在執行模式識別等任務時的速度要快得多。由于具有存儲能力，新型計算機的“學習”能力要高于當前的系統。 惠普高級研究人員斯坦·威廉斯(Stan Williams)表示，記憶電阻器技術尚處于研究階段，將被添加到芯片中。他指出，盡管今天有媒體稱記憶電阻器能夠取代晶體管，但實際情況并非如此。記憶電阻器與晶體管相輔相成。威廉斯在接受采訪時說，“記憶電阻器是晶體管電路的增壓器，我們目前開發的電路混合使用了記憶電阻器和晶體管。” 這種混合設計可以用于PC和智能手機等小型電子設備中，將改變芯片的基本設計。目前，設備的計算和存儲功能是在不同芯片或同一芯片的不同部分完成的，數據需要在存儲和計算功能之間傳輸，造成了計算時間和能耗的浪費。威廉斯說，記憶電阻器無需在存儲芯片和邏輯芯片之間傳輸數據，指令被發送給存儲有數據的電路，完成運算后輸出結果。 威廉斯預計，記憶電阻器存儲芯片將于3年后問世，與閃存芯片相比，新型存儲芯片容量更大、能耗更低、速度更快，“我們預計，記憶電阻器存儲芯片將于未來3年后問世，存儲容量是閃存芯片的逾2倍，速度快10倍”。 威廉斯表示，他希望同時完成運行和存儲功能的記憶電阻器芯片能于2015年之后問世。 市場研究公司 Enderle Group分析師羅布·恩德勒(Rob Enderle)稱，記憶電阻器可能成為游戲規則改變者，“如果惠普能以合理的價格及時推出產品，將改變個人電子產品產業的格局”。 市場研究公司Gartner分析師馬丁·雷諾茲(Martin Reynolds)說，記憶電阻器將極大地改變閃存產業，“惠普預計記憶電阻器芯片將于2013年問世，將迅速地蠶食閃存芯片的市場。存儲成本將不斷下降。采用記憶電阻器芯片的設備尺寸將更小，功能將更強大”。 奧茲指出，記憶電阻器芯片有相當大的優勢。記憶電阻器芯片比閃存芯片小7至9倍，意味著設備在更小的空間中可以提供更大的存儲容量，“記憶電阻器芯片將催生3D互聯網等新技術的問世。與目前的設備相比，采用記憶電阻器芯片的設備將有很大不同之處。首先其尺寸更小，其次可以產生更真實的視覺體驗。它們具有與其尺寸不相稱的處理能力，生成內容的速度足夠快，提高虛擬體驗的逼真度。 威廉斯表示，由于惠普本身并非是芯片廠商，因此將與多家芯片廠商就其新芯片設計展開合作。但威廉斯沒有披露參與記憶電阻器項目的芯片廠商。 |
