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經(jīng)過硅驗(yàn)證的制程將提高30%的生產(chǎn)速度，并降低50%的功耗 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國(guó)Crolles的12寸（300mm）晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí)，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場(chǎng)上最高的性能及最低的功耗，意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場(chǎng)的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺(tái)包括全功能且經(jīng)過硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)平臺(tái)和設(shè)計(jì)流程。技術(shù)平臺(tái)包括全套的基礎(chǔ)程式庫(kù)（標(biāo)準(zhǔn)單元、存儲(chǔ)器生成器、I/O、AMS IP以及高速接口）；設(shè)計(jì)流程適合開發(fā)高速的高能效器件。 較傳統(tǒng)制造技術(shù)，F(xiàn)D-SOI技術(shù)可在大幅提升性能的同時(shí)大幅降低功耗，因此ST-Ericsson選擇采用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)設(shè)計(jì)未來的移動(dòng)平臺(tái)。 意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁、數(shù)字產(chǎn)品部總經(jīng)理兼首席技術(shù)與制造官Jean-Marc Chery表示：“在產(chǎn)品和技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體在很久以前就開始探索新的解決方案。FD-SOI技術(shù)的投產(chǎn)，使意法半導(dǎo)體再次躋身全球最具創(chuàng)新力的半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)制造企業(yè)之列，后端晶圓測(cè)試證明，較傳統(tǒng)制造技術(shù)，F(xiàn)D-SOI在性能和功耗方面具有明顯優(yōu)勢(shì)，讓我們能夠在28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)創(chuàng)建高成本效益的工業(yè)解決方案。ST-Ericsson的 NovaThor ModAp的最大處理頻率超過2.5Ghz，在0.6V時(shí)達(dá)到800MHz，對(duì)該平臺(tái)的子系統(tǒng)的測(cè)試證明，該技術(shù)符合設(shè)計(jì)預(yù)期，具有靈活性和寬電壓范圍，可支持電壓和頻率動(dòng)態(tài)調(diào)整（DVFS）。” 與制造成功同等重要的是，意法半導(dǎo)體發(fā)現(xiàn)了從28納米傳統(tǒng)CMOS制程（Bulk CMOS）向 28納米FD-SOI移植代碼庫(kù)和物理IP的簡(jiǎn)單方法，由于沒有 MOS歷史效應(yīng)，用傳統(tǒng)CAD工具和方法設(shè)計(jì)FD-SOI數(shù)字系統(tǒng)級(jí)芯片的過程與設(shè)計(jì)體效應(yīng)器件完全相同。FD-SOI能夠用于制造高能效的器件，必要時(shí)，動(dòng)態(tài)體偏壓能讓器件立即進(jìn)入高性能模式，而其余時(shí)間保持在低泄漏電流模式，這些對(duì)于應(yīng)用軟件、操作系統(tǒng)和高速緩存系統(tǒng)都完全透明。較體效應(yīng)CMOS制程技術(shù)，F(xiàn)D-SOI可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的性能及低工作電壓，并擁有非常出色的能效。 |
