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北京芯愿景軟件技術有限公司的最新資料 根據摩爾定理，IC上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。但隨著IC上晶體管的集成度越來越高，在45nm節點技術中，MOS管的柵介質厚度減小到了1.2nm，幾乎只是5個硅原子的厚度，器件的物理電氣性能幾乎達到了極限。因此，這些困難都催生了新一代金屬的誕生。在45nm技術節點處，以金屬/高K介質為代表的新一代工藝技術已經開始應用于半導體產業。在32nm技術節點及以下，這些技術必將得到進一步的推廣和應用。而在技術發展的過程中，半導體產業也遇到了成本研發成本不斷提高，先進技術的集中化和壟斷化程度越來越高的趨勢，調研報告最后也對半導體產業的市場現狀作了一定的總結和分析。 
45納米以下制造工藝介紹.pdf
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