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比利時微電子研究中心IMEC宣布，將與Nantero公司合作開發臨界尺寸小于20nm的碳納米管非揮發性存儲器。 IMEC一直積極研究基于金屬氧化物的電阻式RAM ，該組織希望能成功研發出碳納米管(carbon nanotube, CNT)存儲器，以作為DRAM的替代產品。 位在美國麻薩諸塞州的Nantero公司早在2000年就開發出碳納米管(CNT)存儲器，稱之為NRAM 。過去十年以來，該公司取得了顯著進展，在Nantero的網站上，該公司聲稱NRAM很快就會在密度方面超越DRAM ，并在功耗方面贏過DRAM或閃存，甚至可取代便攜產品中使用的閃存。 每一個CNT尺寸都是納米級，長度則可達到毫米級。然而， Nantero 開發了一種非編織狀基質(non-woven matrix)的CNT，并將之沉積在包含底部單元選擇元件和陣列線的基板上。 2006年，該公司宣布已成功制造和測試了22nm存儲器開關。為開發下一代高密度存儲器技術， IMEC同意支持Nantero制造、測試和特征化NRAM陣列。 “在檢視Nantero的發展計劃及該公司與制造伙伴的進展后，我們認為，針對下一代高度可擴展的存儲器，這種基于CNT的非揮發性存儲器擁有極具吸引力的特性，”IMEC CEO Luc Van den hove表示。 Nantero已在CMOS生產環境中制造出高良率的4Mb NRAM陣列，該元件有幾項重要性能優勢：寫入速度3ns；幾乎是無限的數據保存能力－－截至目前為止，經測試后已超越10^ 12個周期；另外還包括更低的工作功耗，以及在高溫下仍具備良好的數據保存性能，IMEC表示。 “Nantero和IMEC的合作將能開發出能滿足未來對terabit級存儲器陣列以及超高速Gigabit等級非揮發性快取存儲器應用需求的20nm以下存儲器技術，”IMEC技術長Jo de Boeck表示。“如果我們能進一步證明其耐用性和速度等規范，NRAM甚至可作為DRAM的替代選項，進而讓我們跨越18nm的微縮極限。” Nantero 公司共同創辦人兼CEO Greg Schmergel 表示，該公司正在和全球領先的制造商以及IMEC合作，希望能盡快在市場上推出新的碳納米管存儲器。 |
