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比利時(shí)微電子研究中心IMEC宣布，將與Nantero公司合作開(kāi)發(fā)臨界尺寸小于20nm的碳納米管非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。 IMEC一直積極研究基于金屬氧化物的電阻式RAM ，該組織希望能成功研發(fā)出碳納米管(carbon nanotube, CNT)存儲(chǔ)器，以作為DRAM的替代產(chǎn)品。 位在美國(guó)麻薩諸塞州的Nantero公司早在2000年就開(kāi)發(fā)出碳納米管(CNT)存儲(chǔ)器，稱(chēng)之為NRAM 。過(guò)去十年以來(lái)，該公司取得了顯著進(jìn)展，在Nantero的網(wǎng)站上，該公司聲稱(chēng)NRAM很快就會(huì)在密度方面超越DRAM ，并在功耗方面贏過(guò)DRAM或閃存，甚至可取代便攜產(chǎn)品中使用的閃存。 每一個(gè)CNT尺寸都是納米級(jí)，長(zhǎng)度則可達(dá)到毫米級(jí)。然而， Nantero 開(kāi)發(fā)了一種非編織狀基質(zhì)(non-woven matrix)的CNT，并將之沉積在包含底部單元選擇元件和陣列線(xiàn)的基板上。 2006年，該公司宣布已成功制造和測(cè)試了22nm存儲(chǔ)器開(kāi)關(guān)。為開(kāi)發(fā)下一代高密度存儲(chǔ)器技術(shù)， IMEC同意支持Nantero制造、測(cè)試和特征化NRAM陣列。 “在檢視Nantero的發(fā)展計(jì)劃及該公司與制造伙伴的進(jìn)展后，我們認(rèn)為，針對(duì)下一代高度可擴(kuò)展的存儲(chǔ)器，這種基于CNT的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器擁有極具吸引力的特性，”IMEC CEO Luc Van den hove表示。 Nantero已在CMOS生產(chǎn)環(huán)境中制造出高良率的4Mb NRAM陣列，該元件有幾項(xiàng)重要性能優(yōu)勢(shì)：寫(xiě)入速度3ns；幾乎是無(wú)限的數(shù)據(jù)保存能力－－截至目前為止，經(jīng)測(cè)試后已超越10^ 12個(gè)周期；另外還包括更低的工作功耗，以及在高溫下仍具備良好的數(shù)據(jù)保存性能，IMEC表示。 “Nantero和IMEC的合作將能開(kāi)發(fā)出能滿(mǎn)足未來(lái)對(duì)terabit級(jí)存儲(chǔ)器陣列以及超高速Gigabit等級(jí)非揮發(fā)性快取存儲(chǔ)器應(yīng)用需求的20nm以下存儲(chǔ)器技術(shù)，”IMEC技術(shù)長(zhǎng)Jo de Boeck表示。“如果我們能進(jìn)一步證明其耐用性和速度等規(guī)范，NRAM甚至可作為DRAM的替代選項(xiàng)，進(jìn)而讓我們跨越18nm的微縮極限。” Nantero 公司共同創(chuàng)辦人兼CEO Greg Schmergel 表示，該公司正在和全球領(lǐng)先的制造商以及IMEC合作，希望能盡快在市場(chǎng)上推出新的碳納米管存儲(chǔ)器。 |
