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• 自我介紹自主研發設計碳化硅MOS管芯片、SiC MOS晶圓die與 SiC Module功率模塊。通過AEC-Q101和AQG324認證。擁有全自主知識產權，已申請40項專利技術，采用6英寸技術已量產20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET產品。
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碳化硅MOS電壓650V-3300V，電流5A-150A 。 2023-04-17

Si CMOS 管國產實現 電壓 650V-3300V， 電流 5A-150A 。 https://pan.baidu.com/s/1SaVWhfSj0xu-O7Mh9AxFxw提取碼ictb   碳化硅（SiC ...

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  碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。擁有全自主知識產權，已申請40項專利技術，采用6英寸技術已量產20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET產品。

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