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電源技術新聞列表

繼2011年底慘跌之后,電源管理半導體第二季度開始復蘇

繼2011年底慘跌之后,電源管理半導體第二季度開始復蘇

由于形勢惡化和天災的影響,第四季度營業收入銳減 作者:Marijana Vukicevic 據IHS iSuppli公司的電源管理市場追蹤報告,繼2011年第四季度慘跌之后,電源管理半導體在2012年初有所回升 ...
2012年05月14日 11:18   |  
電源管理  

泰克推出CALWEB 6.0版本

泰克公司日前宣布,推出其CALWEB 在線校準管理系統的6.0版本。CALWEB 6.0 為客戶提供了針對其測試和測量資產的更高可視性,并降低了其校準管理項目相關的總成本。 CALWEB 6.0 功能增強 CA ...
2012年05月10日 15:14   |  
CALWEB   校準  
萊迪思宣布可擴展的、在系統可升級、星型拓撲結構的電源管理架構

萊迪思宣布可擴展的、在系統可升級、星型拓撲結構的電源管理架構

萊迪思半導體公司今天宣布一個可擴展的、在系統可升級、星型拓撲結構的電源管理架構,可以用于各種需要多于12個電源電壓的電路板。針對屢獲殊榮的Platform Manager器件,萊迪思同時提供了兩篇新 ...
2012年05月10日 15:05   |  
Platform Manager   電源管理  

三星高通發起無線充電聯盟 引領無線充電重大變革

無線技術領域領軍企業三星和高通日前宣布與其他技術領導者一起組成無線充電聯盟(Alliance for Wireless Power, A4WP)。 該獨立運營組織的使命在于促進全球無空間限制的無線充電技術的標準化 ...
2012年05月10日 10:39   |  
無線充電  

Power Integrations完成收購CT-Concept

Power Integrations公司今日宣布已完成對CT-Concept Technologie AG(也稱為“CONCEPT”)的收購,自5月1日起生效。 CONCEPT成立于1986年,總部位于瑞士比爾(Biel),是一家為高壓IGBT模塊開 ...
2012年05月09日 15:11   |  
收購  

RFMD推出rGaN-HV工藝 大幅度降低系統成本和能耗

RF Micro Devices擴展其RFMD 業界領先的氮化鎵工藝技術,以包括功率轉換應用中專為高電壓功率器件而優化的新技術。 RFMD 推出的最新氮化鎵工藝技術– rGaN-HV -- 可在功率轉換應用(1 至50 K ...
2012年05月07日 09:51   |  
gan   氮化鎵  

節后電源人事招聘的綜合征

正執春風吹向大地的時候,萬物開始復蘇,小樹開始發芽,一個新生代的季節開始活躍起來了。一切都是嶄新的。據電源英才網招聘顧問統計顯示:目前社會上最受關注的是,企業招工難的問題,年后很多 ...
2012年05月05日 09:18   |  
電源   招聘  

2012年金太陽示范項目目錄公布

  財建[2012]177號   有關省、自治區、直轄市、計劃單列市財政廳(局)、科技廳(委、局)、發展改革委(能源局):   根據各地上報的《2012年金太陽示范項目實施方案》和專家評審結 ...
2012年05月04日 13:03   |  
光伏   光伏發電   金太陽工程   逆變器   蓄電池  
2012年電源行業人才崗位趨勢分析

2012年電源行業人才崗位趨勢分析

據電源英才網招聘顧問最新消息顯示,電源行業的快速發展使得,企業在人才和技術方面較2010年相比投入有很大的增加。雖然對于企業來說,經濟有所增加,但是企業人才的流動性很大。與2010年相比, ...
2012年05月03日 10:47   |  
電源行業   崗位   人才  

電子信息產業增速趨勢

目前為止,歐美發達的國家經濟相對是比較緩慢的,中國對歐美國家的電子產品銷售出口非常的低,盡管中國電子產品月度出口連續好幾個月下滑,但是呈現的幅度波動的機率非常的大!在過去的一年當中 ...
2012年05月03日 10:45   |  
電子信息  

無線充電,國際廠商走錯了方向?!

作者:李堅 引言:在日前電子工程專輯的讀者見面會上,一家本土公司的技術總監對本刊表示,“國際上的主流的無線充電研究,都是在向著大功率和遠距離的方向發展,也許20年后會取得巨大的成功 ...
2012年05月03日 10:37   |  
無線充電  
Vishay推下一代D系列MOSFET 具有超低導通電阻、超低柵極電荷

Vishay推下一代D系列MOSFET 具有超低導通電阻、超低柵極電荷

Vishay 推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3A~36A電流,采用多種封裝。 今天發布的D系列MOSFET基于新的高壓條帶技 ...
2012年05月03日 09:53   |  
MOSFET  

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